[发明专利]一种新型芯片晶体管阵列方法在审

专利信息
申请号: 201210542527.8 申请日: 2012-12-14
公开(公告)号: CN102999310A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 蒋海勇 申请(专利权)人: 蒋海勇
主分类号: G06F7/38 分类号: G06F7/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 425909 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 芯片 晶体管 阵列 方法
【权利要求书】:

1.一种新型芯片晶体管阵列方法,其特征在于是将3个以上晶体管组合成一个位单元晶体管。

2.根据权利要求1所述一种新型晶体管阵列方法,其特征在于是依位单元晶体管内的晶体管数量划分低区、高区、多个区,低区上高位进位。

3.根据权利要求1、2所述,一种新型晶体管阵列方法,其特征在于所述位单元晶体管的数字表示方式是,位单元内的三个晶体管2个划为低区,1个划为高区,三个晶体管全关闭表示0,低区打开1个晶体管表示1,低区打开2个晶体管打开表示2,高区打开1个晶体管表示3,高区打开1个晶体管和低区打开1个晶体管表示4,三个晶体管全打开表示5,大于5的向更高位进位,位单元内有6个晶体管,可划为低、中、高3个区,低区4个晶体管,中、高区各1个晶体管,低区4个晶体管,表示0~4,逢5向中区进位,中区、低区组合,表示0~10,逢10向高区进位,高区、中区、低区组合,表示0~19,逢20向更高位进位,位单元内的晶体管数量越多、分区越多所表示数据越多。

4.根据权利要求1、2、3所述,一种新型晶体管阵列方法,其特征在于所述在芯片上阵列多位位单元晶体管,字长2位,位单元内有3个晶体管,2个划为低区和1个划为高区,每个位单元晶体管表示0~5,6个字符,62共36个数据,方式是00~55,位单元内有6个晶体管,划为低、中、高3个区,低区4个晶体管,中、高区各1个晶体管,每个位单元晶体管表示0~19,20字符,202共400个数据,字长位数越多,位单元内的晶体管数量越多、分区越多所表示数据越多。

5.根据权利要求1、2、3、4所述,一种新型晶体管阵列方法,其特征在于所述在芯片上阵列多位,每个位单元晶体管内有5个以上晶体管,1个晶体管划为高区,4个晶体管划为低区,用十进制表示数字,使用珠算法则运算加、减、乘、除、平方根。

6.根据权利要求1、2所述,一种新型晶体管阵列方法,其特征在于所述位单元晶体管是平面排列在其基片上,串联或并联为几何图形的。

7.根据权利要求1、2所述,其特征在于所述位单元晶体管是单个晶体管一层叠一层,叠加3层、多层,且串联或并联成一个位单元晶体管的。

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