[发明专利]一种应用电镀工艺的AAQFN封装件及其制作工艺

权利要求书

1.一种应用电镀工艺的AAQFN封装件，其特征在于：主要由铜引线框架（1）、粘片胶（2）、芯片（3）、键合线（4）、塑封料（5）、阻焊层（6）和锡球（7）组成；所述的铜引线框架（1）为蚀刻，通过粘片胶（2）与芯片（3）粘接，芯片（3）与铜引线框架（1）引脚由键合线（4）连接，并由塑封料（5）塑封，所述阻焊层（6）填充铜引线框架（1）底部蚀刻掉的引脚空隙，锡球（7）电镀引脚上。

2.一种应用电镀工艺的AAQFN封装件的制作工艺，其特征在于：其按照如下步骤进行：

第一步、引线框架蚀刻：将铜引线框架（1）进行半蚀刻，依据芯片pad分布结构，通过成熟的涂胶、曝光、显影、电镀及腐蚀等工艺，在铜板正面蚀刻出载体，互联线，I/O Pad，确定I/O Pad大小，脚间距和它们各自的位置；

第二步、晶圆减薄和划片：先正面贴上胶膜，然后在专用减薄机上进行减薄，减薄完的晶圆清洗经检验合格后，去掉正面胶膜，在晶圆背面贴上胶膜后再进行划片，将晶圆划成单个IC芯片；

第三步、上芯：使用专用上料夹，用点胶头均匀的将粘片胶（2）点在铜引线框架（1）的PAD上，吸嘴将承片台上的IC芯片（3）吸起放置到已点好粘接胶的铜引线框架（1）引脚上，粘片后框架自动送到弹夹中；

第四步、压焊：在专用压焊机上，键合线（4）采用金线或铜线，通过球焊把芯片（3）上的焊盘（PAD）和蚀刻后铜引线框架（1）引脚相连；

第五步、塑封：采用塑料包封系统将压焊后的产品自动传送到塑封模具中，用塑封料（5）对压焊后的产品进行包封，随后进行固化；

第六步、框架背面蚀刻、背面刷阻焊层：对铜引线框架（1）进行背面蚀刻，将选定的露铜部分蚀刻掉，进行引脚分离；在分离后，对铜引线框架（1）的引脚的空隙刷阻焊层（6），处理方法是在图形蚀刻后，依次进行腿膜、微蚀、涂阻焊层、曝光、显影、阻焊层 固化，使其油墨烤干,并充分的硬固化；

第七步、电镀锡球：在铜引线框架（1）的引脚上应用电镀工艺植入锡球（7），电镀后进行烘烤，彻底去除潮气；

第八步、切割：对产品进行切割入盘（管）。