[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件

权利要求书

1.一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：导电支承体；设置在所述支承体上的p型电极；设置在所述p型电极上的半导体层，所述半导体层至少包括从所述p型电极起按以下顺序设置的p型层、发光层以及n型层，所述三层中的每一层均由第III族氮化物半导体形成；以及设置在所述n型层上的n型电极，其中

所述器件具有器件隔离沟槽，所述器件隔离沟槽沿着所述半导体层的外周形成并且为所述半导体层提供台面形状；以及

连续地设置在第一区域至第三区域上的绝缘膜，所述第一区域为所述n型层的外周区域，所述第二区域为所述沟槽的侧表面，以及所述第三区域为所述器件隔离沟槽的底表面；以及

所述n型电极具有：

待连接接合线的焊垫部；

接触部，所述接触部设置在距所述焊垫部一定距离处并且部分地或完全地设置在所述n型层上；以及

外周导线线状部，所述外周导线线状部沿外周延伸，从而将所述焊垫部与所述接触部相连接，并且所述外周导线线状部完全设置在所述绝缘膜上，或者所述外周导线线状部部分地设置在所述绝缘膜上，其剩余部分设置在所述n型层上。

2.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述外周导线线状部的整体设置在所述绝缘膜上。

3.根据权利要求2所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述外周导线线状部设置在所述绝缘膜的仅所述第三区域上。

4.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述焊垫部的一部分设置在所述绝缘膜上，所述焊垫部的剩余部分设置在所述n型层上。

5.根据权利要求2所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述焊垫部的一部分设置在所述绝缘膜上，所述焊垫部的剩余部分设置在所述n型层上。

6.根据权利要求3所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述焊垫部的一部分设置在所述绝缘膜上，所述焊垫部的剩余部分设置在所述n型层上。

7.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述焊垫部的整体设置在所述绝缘膜上。

8.根据权利要求2所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述焊垫部的整体设置在所述绝缘膜上。

9.根据权利要求3所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述焊垫部的整体设置在所述绝缘膜上。

10.根据权利要求7所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述焊垫部的整体设置在所述绝缘膜的所述第三区域上。

11.根据权利要求8所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述焊垫部的整体设置在所述绝缘膜的所述第三区域上。

12.根据权利要求9所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述焊垫部的整体设置在所述绝缘膜的所述第三区域上。

13.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述接触部的一部分设置在所述绝缘膜上，所述接触部的剩余部分设置在所述n型层上。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其具有设置在所述n型层上的透明电极。

15.根据权利要求1至13中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述n型层在与所述发光层相反的一侧上具有凹凸表面。

16.根据权利要求1至13中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述n型电极的所述焊垫部、所述接触部以及所述外周导线线状部由相同的材料形成。

17.根据权利要求16所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述n型电极的所述焊垫部、所述接触部以及所述外周导线线状部包括选自Ti、W、Al、Cr以及它们的合金中的至少一种。

18.根据权利要求1至13中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中用作n型电极的所述焊垫部和所述接触部包括与所述n型层处于欧姆接触的材料，并且用作所述n型电极的所述外周导线线状部包括对所述绝缘膜呈现的粘附力高于所述焊垫部的材料的粘附力的材料。