[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210541065.8 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103165677B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 安藤孝由 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李亚,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
晶体管，具有栅极电极、第1电极和第2电极；以及
第1及第2保护电路，一端共同与所述栅极电极连接，另一端分别与所述第1电极及第2电极连接，
所述第1及第2保护电路分别构成于在一个场绝缘膜上分离形成的第1及第2多晶硅层内，
所述第1保护电路包括：第1导电型的第1中央部，配置于所述第1多晶硅层的中央部；第2导电型的第1带状部，呈环状配置于该第1中央部的外侧；以及第1导电型的第2带状部，呈环状配置于该第1带状部的外侧，
所述第2保护电路包括：第1导电型的第2中央部，配置于所述第2多晶硅层的中央部；第2导电型的第3带状部，呈环状配置于该第2中央部的外侧；以及第1导电型的第4带状部，呈环状配置于该第3带状部的外侧，
将所述第1中央部及第2中央部通过栅极布线膜共同与所述栅极电极连接，将所述第2带状部与所述第1电极连接，将所述第4带状部与所述第2电极连接，
所述第1多晶硅层内的所述第2带状部在芯片边缘侧与所述第1电极连接，所述第2多晶硅层内的所述第4带状部在第2电极侧与所述第2电极连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述栅极布线膜在与所述第1及第2多晶硅层重合的区域中具有栅极焊盘。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述第1及第2保护电路的配置区域在将双方对接时大致呈正方形的形状。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述第1中央部及第2中央部中的至少一方在从与基板垂直的方向观察时呈L字形状。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述第1中央部及第2中央部中的另一方在从与基板垂直的方向观察时呈L字形状或者正方形的形状。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述第1保护电路在所述第1中央部与第2带状部之间还包括其他的环状的第1导电型的带状部及其他的环状的第2导电型的带状部，
所述第2保护电路在所述第2中央部与第4带状部之间还包括其他的环状的第1导电型的带状部及其他的环状的第2导电型的带状部。
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述第1保护电路还具有在所述第2带状部的外侧呈环状配置的带状的扩散电阻，
所述第1电极取代所述第2带状部而与所述扩散电阻的外侧连接。
8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述晶体管是MOSFET或绝缘栅极双极晶体管。
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