[发明专利]能承受高频开关损耗的电磁阀驱动装置

权利要求书

1.一种能承受高频开关损耗的电磁阀驱动装置，包括MCU，其特征在于：还包括高端开关管驱动电路(1)、电流峰值限制电路(2)、低端选通电路(3)、低端电流采样电路(4)、电流短路保护电路(5)、电流调制电路(6)、高压开关管(Tboost)、多个高端驱动支路、选通开关管(T_lowside1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、采样电阻(R1)；每个高端驱动支路包括一个调制开关管(Tbattery)、一个续流二极管(D)、以及与调制开关管(Tbattery)串联的喷油器电磁阀(L)；

高压源(Boost)连接高压开关管(Tboost)的漏极，高压开关管(Tboost)的源极连接第一二极管(D1)的正极，第一二极管(D1)的负极连接每个高端驱动支路中的调制开关管(Tbattery)的漏极；高端开关管驱动电路(1)连接高压开关管(Tboost)的栅极、每个高端驱动支路中的调制开关管(Tbattery)的栅极、电流峰值限制电路(2)以及电流调制电路(6)；蓄电池(Battery)连接第二二极管(D2)的正极，第二二极管(D2)的负极连接每个高端驱动支路中的调制开关管(Tbattery)的漏极；每个高端驱动支路中的调制开关管(Tbattery)的源极连接续流二极管(D)的负极和喷油器电磁阀(L)的一端，续流二极管(D)的正极接地；每个高端驱动支路中的喷油器电磁阀(L)的另一端连接选通开关管(T_lowside1)的漏极以及第三二极管(D3)的正极，第三二极管(D3)的负极接高压源(Boost)；低端选通电路(3)连接选通开关管(T_lowside1)的栅极，选通开关管(T_lowside1)的源极通过采样电阻(R1)接地；低端电流采样电路(4)连接选通开关管(T_lowside1)的源极和采样电阻(R1)的连接点，进行驱动电流的采样，低端电流采样电路(4)还连接电流峰值限制电路(2)、电流短路保护电路(5)、电流调制电路(6)；电流短路保护电路(5)连接电流调制电路(6)；电流调制电路(6)还连接高端开关管驱动电路(1)；MCU连接高端开关管驱动电路(1)、电流峰值限制电路(2)、低端选通电路(3)、电流短路保护电路(5)和电流调制电路(6)；

MCU发出选缸信号(S1)并将其传给高端开关管驱动电路(1)、低端选通电路(3)、电流短路保护电路(5)和电流调制电路(6)，MCU发出设定高压开放信号(S3)并将其传入电流峰值限制电路(2)，MCU发出二阶电流控制信号(S5)并将其传给电流调制电路(6)；低端电流采样电路(4)将采样后产生的低端电流采样信号(S7)传给电流峰值限制电路(2)、电流短路保护电路(5)和电流调制电路(6)；电流峰值限制电路(2)产生实际高压开放信号(S4)并传给高端开关管驱动电路(1)；电流短路保护电路(5)产生短路保护逻辑信号(S2)并将其传给电流调制电路(6)；电流调制电路(6)产生电流调制信号(S6)并将其传给高端开关管驱动电路(1)。

2.如权利要求1所述的能承受高频开关损耗的电磁阀驱动装置，其特征在于：所述电流短路保护电路(5)包括第一非门(U10A)、第一或门(U5A)、第一比较器(U6)、第十九电阻(R19)、第二十电阻(R20)、第十电阻(R10)、第十电容(C10)；选缸信号(S1)输入第一非门(U10A)，第一非门(U10A)的输出端连接第一或门(U5A)的一个输入端，第一比较器(U6)的输出端连接第一或门(U5A)的另一个输入端；第一或门(U5A)的输出端连接第一比较器(U6)的锁存使能端；低端电流采样信号(S7)输入第一比较器(U6)的反相输入端，第十九电阻(R19)一端连接正电源(+5V)，另一端连接第二十电阻(R20)的一端和第一比较器(U6)的正相输入端，第二十电阻(R20)的另一端接地；第一比较器(U6)的关闭端通过第十电阻(R10)接正电源(+5V)，第一比较器(U6)的正电源端接正电源(+5V)，接地端接地；第十电容(C10)的一端接地，另一端连接第一比较器(U6)的正电源端；第一比较器(U6)的输出端输出短路保护逻辑信号(S2)。