[发明专利]制造阵列基板的方法

权利要求书

1.一种制造阵列基板的方法，所述方法包括：

在限定了像素区域的基板上形成线或者电极；

在所述线或者电极上形成保护层，所述保护层由氮化硅（SiN_X）形成；

在所述保护层上形成光刻胶图案；以及

将具有所述光刻胶图案的基板加载到干法蚀刻设备的腔体中，并且使用包含三氟化氮（NF₃）气体的第一气体混合物对在所述光刻胶图案之间露出的保护层进行第一干法蚀刻处理以形成露出所述线或者电极的接触孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一气体混合物包括氧气（O₂）和氦气（He）以及所述三氟化氮气体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述线或者电极包括由铜（Cu）或者铜合金形成的单层，或者包括具有由铜或者铜合金形成的最上层的多层结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在第一干法蚀刻处理期间提供到所述腔体中的所述第一气体混合物中，当单位时间氦气的流速被定义为1时，三氟化氮的流速与氧气的流速的比在1.15:2.875到1.2:3.6的范围。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，在第一干法蚀刻处理期间提供到所述腔体中的所述第一气体混合物中，当单位时间氦气的流速被定义为1时，三氟化氮的流速与氧气的流速的比在1.15:3.6到1.2:4.5的范围。

6.根据权利要求4和5中任意一项所述的方法，其中，单位时间氦气的流速在约145sccm到约155sccm的范围。

7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

在进行第一干法蚀刻处理达第一时间量之后，通过用包含三氟化氮和氧气的第二气体混合物替代第一气体混合物进行第二干法蚀刻处理达第二时间量；以及

在进行第二干法蚀刻处理之后，通过用所述第一气体混合物代替所述第二气体混合物来进行第三干法蚀刻处理达第三时间量。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一时间量和所述第三时间量中的每一个是所述第二时间量的约两到三倍，并且所述第二时间量在15秒到20秒范围。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，在第二干法蚀刻处理期间提供到腔体中的第二气体混合物中，三氟化氮的流速与氧气的流速的比在1:10到1:11的范围。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，提供到所述腔体中的氧气（O₂）的流速等于在第一干法蚀刻处理期间提供的氧气的流速，并且三氟化氮的流速在约47sccm到约59sccm的范围。

11.根据权利要求4和5中任意一项所述的方法，其中，所述接触孔的内侧表面相对于所述线或者电极的表面形成锥形结构，并且所述接触孔的内侧表面与所述线或者电极的表面形成的角在约45°到约75°的范围。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一气体混合物包含六氟化硫（SF₆）、氧气（O₂）和氦气（He）以及三氟化氮。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在第一干法蚀刻处理期间提供到所述腔体中的第一气体混合物中，三氟化氮的流速与六氟化硫的流速的比为从0.95:1到1:0.95的范围。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，在限定了像素区域的基板上形成所述线或者电极的步骤包括：

在所述基板上沉积第一金属材料，以及对第一金属材料构图以形成在一个方向上延伸的选通线并且在所述像素区域中形成栅极；

在所述选通线和所述栅极上形成栅绝缘层；以及

在所述栅绝缘层上形成数据线以与所述选通线交叉并且限定所述像素区域，并且同时形成与所述栅极相对应的半导体层以及源极和漏极，所述源极和漏极形成为在所述半导体层上彼此隔开。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述接触孔是露出所述漏极的漏接触孔，

所述方法还包括：在所述像素区域中在所述保护层上形成通过所述漏接触孔与所述漏极接触的像素电极。