[发明专利]完全电容性耦合的输入斩波器

权利要求书

1.一种从差分输入端Vinp和Vinn传送差分信号的方法，所述差分输入端Vinp和Vinn的共模输入电压能够比电源电压更高，包括：

提供具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的输入斩波器，每一个晶体管具有源极、漏极和栅极，所述输入斩波器具有作为差分输入端的Vinp和Vinn；

提供输出斩波器；

将所述输入斩波器的差分输出端Voutp和Voutn电容性地耦合至所述输出斩波器的差分输入端；

将时钟电容性地耦合至所述输入斩波器，并且将所述时钟耦合至所述输出斩波器，所述时钟具有第一相位以及与所述第一相位相反的第二相位，将所述第一相位电容性地耦合至所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极，并且将所述第二相位电容性地耦合至所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极；以及

提供对所述第一晶体管至所述第四晶体管的栅极的保护以使其免受过大的电压，

其中所述第一晶体管至所述第四晶体管是MOS晶体管，并且其中所述第一晶体管和所述第三晶体管的源极耦合至所述Vinp输入端，所述第二晶体管和所述第四晶体管的源极耦合至所述Vinn输入端，所述第一晶体管和所述第四晶体管的漏极耦合至输入斩波器的输出端Voutp，并且所述第二晶体管和所述第三晶体管的漏极耦合至所述输入斩波器的输出端Voutn。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

通过提供锁存器来精确地限定所述第一晶体管至所述第四晶体管的栅极在下一个时钟反转时的开始电压，所述锁存器分别具有与所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极的第一锁存器连接以及与所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极的第二锁存器连接。

3.根据权利要求1所述的方法，其中提供对所述第一晶体管至所述第四晶体管的栅极的保护以使其免受过大的电压包括：在所述第一晶体管至所述第四晶体管的各自的栅极与源极之间耦合二极管，所述二极管按一极性串联连接以限制趋于使各自的晶体管导通的所述栅极源极电压，并且在各自的源极与漏极之间至少有一个极性相反的二极管。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：提供对所述第一晶体管至所述第四晶体管的保护以使其免受过大的漏极源极电压。

5.根据权利要求4所述的方法，其中提供对所述第一晶体管至所述第四晶体管的保护以使其免受过大的漏极源极电压包括：在所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个晶体管的所述漏极与源极之间耦合二极管或串联连接的多个二极管，所述二极管的极性与所述第一晶体管和所述第二晶体管的各自的体二极管的极性相反。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：提供对所述第一晶体管至所述第四晶体管的保护以使其免受负的共模输入电压阶跃。

7.根据权利要求6所述的方法，其中提供对所述第一晶体管至所述第四晶体管的栅极的保护以使其免受过大的电压包括：当在所述输入端Vinp和Vinn上出现负的共模电压浪涌时，将所述第一晶体管和所述第三晶体管的栅极耦合至所述输入端Vinp，并且将所述第二晶体管和所述第四晶体管的栅极耦合至所述输入端Vinn。

8.根据权利要求7所述的方法，其中将所述第一晶体管和所述第三晶体管的栅极耦合至所述输入端Vinp包括：在地与所述输入端Vinp之间电容性地耦合连接成二极管形式的第五晶体管，并且将两个第一复制晶体管的漏极分别耦合至所述第一晶体管和所述第三晶体管的栅极，当所述输入端Vinp上的负的浪涌使所述连接成二极管形式的第五晶体管两端的电压反转时，所述两个第一复制晶体管复制所述连接成二极管形式的第五晶体管的导通状态以使所述两个第一复制晶体管导通，并且其中将所述第二晶体管和所述第四晶体管的栅极耦合至所述输入端Vinn包括：在地与所述输入端Vinn之间电容性地耦合连接成二极管形式的第六晶体管，并且将两个第二复制晶体管的漏极分别耦合至所述第二晶体管和所述第四晶体管的栅极，当所述输入端Vinn上的负的浪涌使所述连接成二极管形式的第六晶体管两端的电压反转时，所述两个第二复制晶体管复制所述连接成二极管形式的第六晶体管的导通状态以导通。