[发明专利]一种小模场抗弯曲单模光纤

权利要求书

1.一种小模场抗弯曲单模光纤，包括芯层和包层，其特征在于所述芯层的相对折射率差Δ1为0.9％~1.1％，芯层半径R1为2.4~3.0μm；围绕在芯层外有内、外两个包层；内包层相对折射率差Δ2为0％~-0.1％，内包层半径R2为9~12μm；内包层外为外包层。

2.按权利要求1所述的小模场抗弯曲单模光纤，其特征在于所述的芯层由掺锗的石英玻璃、或锗氟共掺石英玻璃、或锗及其它掺杂剂共掺的石英玻璃组成；芯层中锗的贡献量ΔGe为0.9％~1.1％，氟（F）的贡献量ΔF等于或低于-0.1％。

3.按权利要求1或2所述的小模场抗弯曲单模光纤，其特征在于所述的内包层由掺氟或锗氟共掺的石英玻璃组成，内包层半径R2与芯层半径R1的比值R2/R1为4~4.5，内包层相对折射率差△2与芯层相对折射率差△1的差值（△1－△2）为1.0％至1.16％。

4.按权利要求1或2所述的小模场抗弯曲单模光纤，其特征在于所述的外包层由纯石英玻璃组成。

5.按权利要求1或2所述的小模场抗弯曲单模光纤，其特征在于所述的单模光纤在1310nm波长处的衰减系数小于或等于0.52dB/km；在1310nm波长处的模场直径为4.5~5.5μm。

6.按权利要求1或2所述的小模场抗弯曲单模光纤，其特征在于所述的单模光纤在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.30dB/km；在1550nm波长处的模场直径为5.5um至6.5μm。

7.按权利要求1或2所述的小模场抗弯曲单模光纤，其特征在于所述的单模光纤具有小于或等于1260nm的光缆截止波长。

8.按权利要求1或2所述的小模场抗弯曲单模光纤，其特征在于所述的单模光纤在1550nm波长处，对于围绕3mm弯曲半径饶一圈弯曲附加损耗小于或等于0.1dB，对于围绕5mm弯曲半径饶一圈弯曲附加损耗小于或等于0.05dB，对于围绕7.5mm弯曲半径饶一圈弯曲附加损耗小于或等于0.01dB，对于围绕10mm弯曲半径饶一圈弯曲附加损耗小于或等于0.005dB，对于围绕15mm弯曲半径饶十圈弯曲附加损耗小于或等于0.002dB。

9.按权利要求1或2所述的小模场抗弯曲单模光纤，其特征在于所述的单模光纤在1625nm波长处，对于围绕3mm弯曲半径饶一圈弯曲附加损耗小于或等于0.2dB，对于围绕5mm弯曲半径饶一圈弯曲附加损耗小于或等于0.1dB，对于围绕7.5mm弯曲半径饶一圈弯曲附加损耗小于或等于0.02dB，对于围绕10mm弯曲半径饶一圈弯曲附加损耗小于或等于0.005dB，对于围绕15mm弯曲半径饶十圈弯曲附加损耗小于或等于0.005dB。