[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括多个位于基板上的像素单元，所述像素单元包括：

形成在基板上的薄膜晶体管结构；

以及由所述薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管，所述有机发光二极管位于所述像素单元的像素区域，所述有机发光二极管在远离基板的方向上依次包括透明的第一电极、发光层、反射光线的第二电极；

彩膜，位于所述有机发光二极管与所述薄膜晶体管结构之间；

半反半透层，位于所述有机发光二极管的第二电极与所述彩膜之间；

所述有机发光二极管的第二电极与所述半反半透层形成微腔结构。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构包括：形成在基板上的第一栅极、第二栅极，形成在所述第一栅极和第二栅极之上的栅绝缘层，形成在所述栅绝缘层之上的第一有源层和第二有源层，形成在第一有源层之上的第一源极和第一漏极，形成在第二有源层之上的第二源极和第二漏极，所述第一漏极连接所述第二栅极，所述第一栅极、栅绝缘层、第一有源层、第一源极及第一漏极形成开关薄膜晶体管，所述第二栅极、栅绝缘层、第二有源层、第二源极及第二漏极形成驱动薄膜晶体管；

所述驱动薄膜晶体管的第二漏极与所述有机发光二极管的第一电极电连接。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构之上还形成有钝化层；所述有机发光二极管形成在所述钝化层的上方，所述有机发光二极管的第二电极为阴极，第一电极为阳极，且所述阳极通过所述钝化层的过孔连接第二漏极，所述彩膜形成在所述钝化层之上，所述半反半透层形成在所述彩膜之上，所述半反半透层和彩膜均位于所述像素单元的像素区域，所述发光二极管的阳极位于所述半反半透层上方。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构之上还形成有钝化层；所述有机发光二极管形成在所述钝化层的上方，所述有机发光二极管的第一电极为阴极，第二电极为阳极，且所述阴极通过所述钝化层的过孔连接第二漏极，所述彩膜形成在所述钝化层之上，所述半反半透层形成在所述彩膜之上，所述半反半透层和彩膜均位于所述像素单元的像素区域，所述有机发光二极管的阴极位于所述半反半透层上方。

5.如权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述半反半透层靠近所述有机发光二极管的一侧的表面为由若干凹凸结构或波浪结构排成阵列形成的面。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述彩膜靠近所述有机发光二极管的一侧的表面为由若干凹凸结构或波浪结构排成阵列形成的凹凸面，半反半透层形成在所述凹凸面上，且半反半透层的厚度相同。

7.如权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述半反半透层和所述第一电极之间还设有树脂层，所述第一电极通过穿过树脂层及钝化层的过孔连接所述第二漏极。

8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述像素单元的所述薄膜晶体管结构对应区域，且位于所述第一电极之上还形成有像素定义层。

9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半反半透层由银、铝、钼、铜、钛、铬中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金构成，且透过率为5%~95%。

10.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半反半透层厚度为：

11.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述彩膜的厚度为：

12.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述彩膜包括：红绿蓝、红绿蓝黄或红绿蓝白模式的彩膜。

13.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括步骤：

在基板上形成包括薄膜晶体管结构及钝化层的图形，以确定基板上的多个像素单元；

在所述像素单元的像素区域形成彩膜及半反半透层的图形，使所述半反半透层位于所述彩膜之上；

在所述像素单元的像素区域形成有机发光二极管，使半反半透层和彩膜位于所述有机发光二极管和所述薄膜晶体管结构之间。