[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201210537136.7 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN103000661A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 宋泳锡;刘圣烈;崔承镇;金熙哲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括多个位于基板上的像素单元,所述像素单元包括:形成在基板上的薄膜晶体管结构、由所述薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管及位于所述薄膜晶体管结构和所述有机发光二极管之间的彩膜,所述有机发光二极管位于像素单元的像素区域,其特征在于,所述像素单元还包括:位于所述薄膜晶体管结构对应区域,且形成在所述薄膜晶体管结构上方的遮光层,所述遮光层用于阻挡蓝色光线。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层用于阻挡波长为400nm以下的蓝色光线。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层为红色滤光片。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述红色滤光片的厚度为
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层为绿色滤光片。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述绿色滤光片的厚度为
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层为红绿滤光片叠层形成。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述红绿滤光片叠层的厚度为
9.如权利要求1~8中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管结构包括:形成在基板上的第一栅极、第二栅极,形成在所述第一栅极和第二栅极之上的栅绝缘层,形成在所述栅绝缘层之上的第一有源层和第二有源层,形成在第一有源层之上的第一源极和第一漏极,形成在第二有源层之上的第二源极和第二漏极,所述第一漏极连接所述第二栅极,所述第一栅极、栅绝缘层、第一有源层、第一源极及第一漏极形成开关薄膜晶体管,所述第二栅极、栅绝缘层、第二有源层、第二源极及第二漏极形成驱动薄膜晶体管;
所述有机发光二极管位于所述像素单元的像素区域,包括透明的第一电极、发光层、第二电极,所述第一电极连接所述第二漏极。
10.一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括步骤:
在基板上形成包括薄膜晶体管结构及钝化层的图形,以确定基板上的多个像素单元;
形成彩膜及遮光层的图形;
在所述像素单元的像素区域形成有机发光二极管。
11.如权利要求10所述的阵列基板制作方法,其特征在于,所述形成彩膜及遮光层的图形具体包括:
形成一种颜色的彩色滤光薄膜,通过构图工艺在所述像素区域形成该颜色滤光片的图形,按该方式逐次形成其它颜色滤光片的图形,从而形成彩膜的图形;并在所述薄膜晶体管结构对应区域形成所述遮光层的图形,形成所述遮光层的图形具体包括:
在通过所述构图工艺形成彩膜的红色滤光片的图形的同时,在薄膜晶体管结构对应的区域形成另一红色滤光片的图形,以形成所述遮光层;或
在通过所述构图工艺形成彩膜的绿色滤光片的图形的同时,在薄膜晶体管结构对应的区域形成另一绿色滤光片的图形,以形成所述遮光层;或
在通过所述构图工艺形成彩膜的红色滤光片和绿色滤光片的图形的同时,在薄膜晶体管结构对应的区域形成红绿滤光片叠层的图形,以形成所述遮光层。
12.如权利要求11所述的阵列基板制作方法,其特征在于,单色的所述彩色滤光薄膜厚度为
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~9中任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的