[发明专利]阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括多个位于基板上的像素单元，其特征在于，所述像素单元包括：形成在基板上的薄膜晶体管结构；以及由所述薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管，所述薄膜晶体管结构包括驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管的漏极连接所述有机发光二极管，所述驱动薄膜晶体管的栅极与漏极重叠，之间形成存储电容，所述栅极和漏极之间间隔的绝缘层上对应重叠区域形成有凹槽，使所述栅极和漏极之间的距离小于所述绝缘层的对应非重叠区域的厚度。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括：

彩膜，所述彩膜形成在所述有机发光二极管与所述薄膜晶体管结构之间。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极位于所述栅极的上方，两者之间间隔的绝缘层上对应所述重叠区域的位置形成有凹槽，所述漏极的一部分形成在所述凹槽中。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构包括：形成在基板上的第一栅极、第二栅极，形成在所述第一栅极和第二栅极之上的栅绝缘层，形成在所述栅绝缘层之上的第一有源层和第二有源层，形成在第一有源层之上的第一源极和第一漏极，形成在第二有源层之上的第二源极和第二漏极，所述第一漏极连接所述第二栅极，所述第一栅极、栅绝缘层、第一有源层、第一源极及第一漏极形成开关薄膜晶体管，所述第二栅极、栅绝缘层、第二有源层、第二源极及第二漏极形成驱动薄膜晶体管；

所述有机发光二极管位于所述像素单元的像素区域，包括透明的第一电极、发光层、第二电极，所述第一电极连接所述第二漏极，所述第二漏极与所述第二栅极重叠，之间形成存储电容，所述第二漏极与所述第二栅极之间间隔的绝缘层为所述栅绝缘层。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层和第二漏极之间还形成有绝缘间隔层，所述绝缘层包括：绝缘间隔层和栅绝缘层，所述凹槽形成在靠近所述第二漏极的绝缘间隔层的表面，且所述凹槽的深度小于所述绝缘间隔层的厚度。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层和第二漏极之间还形成有绝缘间隔层，所述绝缘层包括：绝缘间隔层和栅绝缘层，所述绝缘间隔层上对应所述重叠区域形成有通孔，所述通孔与所述栅绝缘层的表面形成所述凹槽。

7.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层和第二漏极之间还形成有绝缘间隔层，所述绝缘层包括：绝缘间隔层和栅绝缘层，所述绝缘间隔层上对应所述重叠区域形成有通孔，栅绝缘层上对应所述重叠区域形成有子凹槽，所述通孔与所述子凹槽形成所述凹槽；所述子凹槽的深度小于所述栅绝缘层的厚度。

8.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述彩膜位于所述驱动薄膜晶体管结构之上的钝化层上。

9.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括步骤：

在基板上形成包括第一栅极、第二栅极、绝缘层、第一有源层、第二有源层的图形；

在所述绝缘层上形成包括过孔及凹槽的图形；

形成包括第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极的图形，使所述第二漏极与第二栅极重叠，且所述凹槽使所述栅极和漏极之间的距离小于所述绝缘层的对应非重叠区域的厚度；

形成包括彩膜及有机发光二极管的图形。

10.如权利要求9所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述绝缘层为栅绝缘层，在所述绝缘层上形成包括过孔及凹槽的图形的步骤具体包括：

通过构图工艺在所述栅绝缘层上对应第一漏极和第二栅极连接的区域形成过孔，在所述栅绝缘层上对应第二漏极与第二栅极的重叠区域形成所述凹槽。

11.如权利要求9所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述绝缘层包括形成在第一栅极、第二栅极之上的栅绝缘层和形成在第一有源层、第二有源层之上的绝缘间隔层，通过一次构图工艺在所述绝缘层上形成包括过孔及凹槽的图形。