[发明专利]MEMS器件、封装MEMS器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，本发明涉及一种MEMS器件、封装MEMS器件及其制造方法。

背景技术

微机电系统(MEMS)器件包括相对较新的、将半导体与非常小的机械器件相结合的技术。MESM器件是微机械加工的传感器、致动器，以及使用最初发展用于半导体器件/集成电路工业的技术，通过添加、减少、更改，以及图案化材料来形成的其他结构。MEMS器件被用在多种应用中，诸如，运动控制器的传感器、喷墨式打印机、安全气囊、扩音器、以及陀螺仪。在其中使用了MEMS器件的应用继续发展并且现在还包括以下应用，诸如，移动电话、汽车、全球定位系统(GPS)、视频游戏、消费性电子产品、汽车安全、以及医疗技术。

已发展出的一种用于MEMS器件的较小的封装类型是晶圆级封装(WLP)。WLP包括在封装件中封装MEMS器件，该封装件通常包括被用于将引线分散给MEMS器件的接触焊盘的再分布层(RDL)，从而能够例如，在比MEMS器件的接触焊盘更大的节距(pitch)下形成电接触，并且能够形成与其他器件或与终端应用中的电路板(board)的连接。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种微机电系统(MEMS)器件，包括：第一MEMS功能结构；以及第二MEMS功能结构，其中，所述第二MEMS功能结构的内部区域的压力与所述第一MEMS功能结构的内部区域的压力不同。

在所述MEMS器件中，所述第一MEMS功能结构和所述第二MEMS功能结构包括选自于基本上由陀螺仪、共振器、加速计、扩音器、压力传感器、惯性传感器、致动器及它们的组合所构成的组中的类型。

在所述MEMS器件中，进一步包括：第三MEMS功能结构，其中，所述第三MEMS功能结构的内部区域的压力与所述第一MEMS功能结构的内部区域的压力或所述第二MEMS功能结构的内部区域的压力不同。

在所述MEMS器件中，进一步包括：第三MEMS功能结构，其中，所述第三MEMS功能结构的内部区域的压力基本上与所述第一MEMS功能结构的内部区域的压力或所述第二MEMS功能结构的内部区域的压力相同。

在所述MEMS器件中，进一步包括：多个第三MEMS功能结构。

在所述MEMS器件中，所述第一MEMS功能结构或所述第二MEMS功能结构包括传感器。

在所述MEMS器件中，进一步包括：设置在所述第一MEMS功能结构或所述第二MEMS功能结构上方的封装材料。

根据本发明的另一方面，提供了一种封装器件，包括：衬底；以及微机电系统(MEMS)器件，与所述衬底相连接，其中，所述MEMS器件包括第一MEMS功能结构和第二MEMS功能结构，其中，所述第一MEMS功能结构的内部区域具有第一压力，所述第二MEMS功能结构的内部区域具有第二压力，并且所述第二压力不同于所述第一压力。

在所述封装器件中，进一步包括：设置在所述第一MEMS功能结构和所述第二MEMS功能结构周围和之间的密封材料。

在所述封装器件中，所述密封材料包括密封环、下方设置有浅沟槽图案的密封环或密封胶。

在所述封装器件中，进一步包括：设置在所述密封材料、所述第一MEMS功能结构或所述第二MEMS功能结构上方的封装材料。

在所述封装器件中，所述衬底包括第一衬底，并且所述MEMS器件包括与第三衬底相连接的第二衬底。

在所述封装器件中，在所述第二衬底和所述第三衬底之间设置有所述第一MEMS功能结构或所述第二MEMS功能结构的可移动元件。

在所述封装器件中，所述衬底包括：盖晶圆，所述盖晶圆包括布线衬底或互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆。

根据本发明的又一方面，提供了一种制造微机电(MEMS)器件的方法，所述方法包括：形成MEMS器件，所述MEMS器件包括第一MEMS功能结构和第二MEMS功能结构；将所述MEMS器件与衬底相接合；在所述第一MEMS功能结构的内部区域中产生第一压力；以及在所述第二MEMS功能结构的内部区域中产生第二压力，其中，在对所述MEMS器件进行晶圆级封装之后，所述MEMS器件中的所述第二压力不同于所述第一压力。

在所述方法中，产生所述第一压力包括向所述第一MEMS功能结构施加真空，或者产生所述第二压力包括向所述第二MEMS功能结构施加真空。