[发明专利]宽波段光栅的反应离子束刻蚀方法

权利要求书

1.宽波段光栅的反应离子束刻蚀方法，其特征是，该刻蚀方法包括以下步骤：

步骤一、将光栅基片（5）放置在回转工作台（6）上；所述回转工作台（6）绕回转轴（7）旋转，光栅基片（5）刻线所在的平面与刻线方向（4）平行于回转轴（7）；

步骤二、在光栅基片（5）上放置挡板（3），调整狭缝的宽度，所述狭缝宽度为a=W/3，W为光栅基片（5）的宽度； 

步骤三、调整离子束方向（1）与光栅基片（5）表面成φ角（2），选取Ar气体2~6sccm，CHF₃气体0.5~1.5sccm，离子能量400eV，实现对光栅基片（5）第一区域（a）的刻蚀，形成闪耀角β₁；

步骤四、平移挡板（3）至光栅基片（5）的下一位置，选取Ar气体6~9sccm，CHF3气体1.5~2.5sccm，离子能量400eV，实现对光栅基片（5）第二区域（b）的刻蚀，形成闪耀角β₂；

步骤五、继续平移挡板（3），选取Ar气体9~14sccm、CHF₃气体2.5~4.5sccm，离子能量400eV，实现对光栅基片（5）第三区域（c）的刻蚀，形成闪耀角β₃ ，实现对光栅基片（5）的刻蚀；

所述的步骤四与步骤五中平移挡板（3）的距离与狭缝的宽度相同。

2.根据权利要求1所述的宽波段光栅的反应离子束刻蚀方法，其特征在于，步骤二所述的在光栅基片（5）上放置挡板（3），所述挡板（3）表面至光栅基片（5）表面的距离小于3mm，挡板（3）的表面与光栅基片（5）表面平行。

3.根据权利要求1所述的宽波段光栅的反应离子束刻蚀方法，其特征在于，步骤三所述的调整离子束方向与光栅基片（5）表面成φ角（2），所述，取0.5计算出φ角，其中为光刻胶掩模刻蚀速率，为光栅基片（5）的刻蚀速率，β₂为刻蚀光栅基片（5）的第二区域（b）的闪耀角。

4.根据权利要求1所述的宽波段光栅的反应离子束刻蚀方法，其特征在于，所述光栅基片（5）第一区域（a）的刻蚀宽度、光栅基片（5）第二区域（b）的刻蚀宽度和光栅基片（5）第三区域（c）的刻蚀宽度相同，并且每个区域的刻蚀宽度与狭缝宽度相同。