[发明专利]液晶显示面板的内置高电平产生电路有效
申请号: | 201210536542.1 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN102982780A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 段立忠;陈秀宗 | 申请(专利权)人: | 中颖电子股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐洁晶;陈亮 |
地址: | 200335 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 内置 电平 产生 电路 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示面板的行驱动器(gate driver)开关控制技术领域,具体来说,本发明涉及一种液晶显示面板的内置高电平产生电路。
背景技术
目前,a-si TFT LCD(非晶硅薄膜晶体管液晶显示面板)、p-si TFT LCD(低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板)、AMOLED(有源矩阵有机发光二极体面板)采用的GIP(gate driver in panel,行驱动器集成在面板上)技术,是将行驱动器(gatedriver)集成在面板(panel)上,减小了行扫描信号接入面板的阻抗,技术上提升了面板的显示效果。另外,因为驱动芯片(driver IC)到面板的行驱动器走线减少,面板显示区到面板边缘的的距离变窄,从而提高了面板的利用率,直接增加了面板厂的利润。因此各大面板厂争相开发GIP技术,特别是智能手机用的高分辨屏的强大需求,更推动着GIP技术的发展,这也将会成为面板行业的趋势。而对于驱动芯片的厂商,因为GIP技术的采用,从而驱动芯片的面积得以减小,一片wafer(晶圆)上能切出更多的驱动芯片,从而能降低单颗驱动芯片的成本。
图1为现有技术中的一种液晶显示面板的高电平产生电路原理图。如图1所示,现有的做法是由驱动芯片101中的VGH/VGL电荷泵102产生并经电平转换电路(level shifter)103电平转换形成VGH/VGL,再提供给面板104的行驱动器105,这样容易因面板104导线阻抗造成VGH/VGL有效电平降低(VGL:-7V~-15V;VGH:7V~18V);而驱动芯片101(电压范围为-15V~+18V)因需要使用高压工艺,导致成本增加。图1中GOUT为驱动芯片101到行驱动器105的控制信号。
可见,现有的GIP技术将行驱动器集成在了面板上,但却不包括VGH/VGL(分别为连接在液晶显示面板行扫描线上的薄膜晶体管的开启电压/关断电压)高电平产生电路,这造成驱动芯片中的电荷泵(charge pump)需另行产生32V的VGH/VGL电源。由此,一方面造成驱动芯片设计制造成本增加,另一方面因需另行连接到面板端,造成有效VGH/VGL电平降低。
另外,驱动芯片控制面板上的薄膜晶体管(TFT)开启/关闭所需的行控制(gatecontrol)信号幅度(VGH-VGL)高达32V,所以驱动芯片需要用到高压工艺,这对于驱动芯片的厂商来说增加了生产的成本。
发明内容
本发明所要解决的一个技术问题是提供一种液晶显示面板的内置高电平产生电路,能够使面板的驱动芯片减少电路面积,同时不再需要成本昂贵的高压工艺,降低了生产成本。
本发明所要解决的另一个技术问题是提供一种液晶显示面板的内置高电平产生电路,能够使面板上薄膜晶体管的开启电压/关断电压由面板自行产生,减少因连接阻抗导致的有效电平的降低。
为解决上述技术问题,本发明提供一种液晶显示面板的内置高电平产生电路,包括:
驱动芯片;
VGH/VGL电荷泵,与所述驱动芯片相连接,用于根据所述驱动芯片的控制信号产生高压VGH/VGL,VGH和VGL分别为所述液晶显示面板上薄膜晶体管的开启电压和关闭电压;
两个第一电平转换电路,分别与各自侧边的行驱动器、所述VGH/VGL电荷泵和所述驱动芯片相连接,用于将所述驱动芯片产生的控制信号电压域也转换到VGL~VGH,并一起输送到所述行驱动器,以产生行扫描信号;
第二电平转换电路,分别与所述驱动芯片和所述VGH/VGL电荷泵相连接,用于根据所述驱动芯片的指令控制所述VGH/VGL电荷泵的工作状态;
其中,所述VGH/VGL电荷泵、两个所述第一电平转换电路及所述第二电平转换电路均内置于所述液晶显示面板中且独立于所述驱动芯片之外。
可选地,所述内置高电平产生电路还包括反馈线路,连接于所述VGH/VGL电荷泵的输出端与所述驱动芯片之间以及所述VGH/VGL电荷泵的输出端与所述第二电平转换电路之间,用于产生更精确控制的所述VGH/VGL电压。
可选地,所述VGH的大小范围为7V~18V;所述VGL的大小范围为-7V~-15V。
可选地,输送到所述第一电平转换电路的控制电压范围为-6.5V~+6.5V。
可选地,所述驱动芯片的电压范围为-6.5V~+6.5V。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
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