[发明专利]采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺

权利要求书

1. 一种采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤：

1）投料：               采用P型基片，晶向为<100>；

2）氧化：               在基片表面氧化，氧化层厚度为7000 ?～8000 ?；

3）磷埋层光刻、注入：    在横向PNP管埋层区部位注入磷，注入能量 80 KeV～100KeV，注入剂量6E14～8E14 Atoms/cm²，杂质为磷；

4）磷埋层退火：          退火温度为1100℃～1200℃ ，先通300～320分钟氮气，再通90～110分钟氧气；

5）硼埋层光刻、注入：  在横向PNP管硼埋区部位注入硼，注入能量80 KeV～ 100KeV ，注入剂量2E14～4E14 Atoms/cm²，杂质为硼；

6）浓磷埋层光刻、注入：   在横向PNP管基区部位注入浓磷，注入能量80 KeV～100KeV ，注入剂量2E15~3E15 Atoms/cm²，杂质为磷；

7）浓磷埋层退火：       退火温度1100℃～1150℃，通入80～100分钟氮气；

8） N型外延：            在横向PNP管基区部位外延，厚度7～9微米，电阻率1～3Ω·cm；

9）深磷扩散：           扩散部位为PNP管基区,深磷预扩1050℃～1080℃，先通3～5分钟氮气和氧气，接着通15～25分钟磷源，最后通46分钟氮气和氧气；深磷再扩为1100℃～1150℃，先通3～5分钟氧气，接着通70～80分钟氢气和氧气，最后通4～6分钟氧气；

10）隔离扩散：          扩散部位为隔离槽，目的是与硼埋层对通,隔离预扩为800℃～950℃，先通5～8分钟氮气和氧气，接着通15～20分 钟硼源，最后通8～12分钟氮气和氧气，隔离再扩为1150℃～1200℃，通入10～12分钟氮气和氧气；

11）基区注入：         注入部位为基区、电阻区, 基区注入能量为50KeV～80 KeV，剂量为5E14～8E14 Atoms/cm²，杂质为硼；

12）浓硼注入：          注入区域为横向PNP管发射区、集电区，注入能量为60KeV，剂量为8.0E14 Atoms/cm²，杂质为硼；

13）基区退火：        退火温度1050℃～1100℃，通入40～60分钟氮气,

14）N+扩散：          扩散部位为横向PNP管基极欧姆接触区,N+予扩为850℃～950℃，先通3～5分钟氮气和氧气，接着通9～15分钟磷源，最后通4～6分钟氮气和氧气；N+再扩为1000℃～1150℃，先通3～5分钟氧气，接着通30～50分钟氢气和氧气，最后通4～6分钟氧气；

15）接触孔光刻、腐蚀： 采用湿法的方法刻蚀，以形成良好的表面状态；

16）一铝溅射：        在基片表面上溅射1.5～2.5微米铝硅铜；

17）介质淀积：        在基片表面上淀积18000～22000埃氮化硅；

18）通孔光刻、刻蚀：  刻出一铝与二铝之间连接的通孔区域，

19）二铝溅射：        溅射2.0～3.5微米铝硅铜，采用厚铝；

20）压点光刻、刻蚀：  刻出芯片压点区域。