[发明专利]一种宽带微带到微带的垂直过渡

权利要求书

1.一种宽带微带到微带的垂直过渡，其特征在于：由平行排布的第一介质基板(1)、中间地层(5)和第二介质基板(2)组合而成，其中第一介质基板(1)的一端设置有顶层微带结构(3)、第二介质基板(2)的另一端设置有底层微带结构(4)，顶层微带结构(3)与底层微带结构(4)结构完全相同，相对排布，中间地层(5)为开有U型耦合槽(6)的金属层，其中顶层微带结构(3)与底层微带结构(4)包括第一微带线(8)、第二微带线(9)和两阶终端开路的高低阻抗短截线(7)，两阶终端开路的高低阻抗短截线(7)位于第一微带线(8)和第二微带线(9)之间。

2.根据权利要求1所述的一种宽带微带到微带的垂直过渡，其特征在于：所述第一介质基板(1)和第二介质基板(2)的厚度为0.1～3mm。

3.根据权利要求1或2所述的一种宽带微带到微带的垂直过渡，其特征在于：所述顶层微带结构(3)与底层微带结构(4)的厚度为8～70um。

4.根据权利要求1所述的一种宽带微带到微带的垂直过渡，其特征在于：所述中间地层(5)的厚度为8～70um。

5.根据权利要求1所述的一种宽带微带到微带的垂直过渡，其特征在于：所述U型耦合槽(6)的中心O点到顶层微带结构(3)的终端A的水平距离为3/20λ～7/20λ，U型耦合槽(6)的中心O点到底层微带结构(4)的终端B的水平距离为3/20λ～7/20λ，其中λ为微带信号中心频率对应的介质波长。

6.根据权利要求1所述的一种宽带微带到微带的垂直过渡，其特征在于：所述两阶终端开路的高低阻抗短截线(7)中第一阶高阻抗线(7a1)的宽度为0.5～1mm，长度为1/20λ～3/20λ，第一阶低阻抗线(7a2)的宽度为3～5mm，长度为0.2～0.8mm；第二阶高阻抗线(7b1)的宽度为0.2～0.8mm，长度为1/20λ～3/20λ，第二阶低阻抗线(7b2)的宽度为3～5mm，长度为0.2～0.8mm，其中λ为微带信号中心频率对应的介质波长。

7.根据权利要求5所述的一种宽带微带到微带的垂直过渡，其特征在于：所述两阶终端开路的高低阻抗短截线(7)中第二阶低阻抗线(7b2)的中心与U型耦合槽(6)的中心O点间距为2/W-0.5mm～2/W+0.5mm，其中W为U型耦合槽(6)的槽宽。

8.根据权利要求1所述的一种宽带微带到微带的垂直过渡，其特征在于：所述中间地层(5)开设的U型耦合槽(6)的槽宽为0.2～0.8mm，纵向长度H为3/20λ～7/20λ，横向长度L为3/20λ～7/20λ，其中λ为微带信号中心频率对应的介质波长。