[发明专利]具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法有效
申请号: | 201210533462.0 | 申请日: | 2012-12-11 |
公开(公告)号: | CN102964121A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 陈仁政;杨喻钦;李凯 | 申请(专利权)人: | 北京元六鸿远电子技术有限公司 |
主分类号: | C04B35/465 | 分类号: | C04B35/465;C04B35/622;C04B35/63 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 夏静洁 |
地址: | 102600 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 ba 温度 特性 钛酸镁系 微波 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电子信息材料与元器件技术领域,特别是涉及一种具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法。
背景技术
近年来,移动通信、卫星通信、全球卫星定位系统(GPS)、蓝牙技术以及无线局域网(WLA)等现代通信业都得到了飞速发展。这种飞速发展极大的带动了现代通信相关元器件的需求。对各类军用民用整机的震荡、耦合、滤波、旁路电路中所需要的微波谐振器、滤波器、振荡器、移相器、微波电容器以及微波基板等元器件,有着庞大的市场需求。微波陶瓷电容器等微波元器件由于体积小、质量轻、性能稳定、价格便宜等优点,发展得相当迅速,其市场也迅速扩大,并且在现代通信工具的微型化、片式化、集成化起着举足轻重的作用。目前,微波陶瓷电容器已经成为了电容器市场的重要组成,全球市场的需求量增长速度近15%。市场需求巨大,产业化市场前景非常广阔。
对于射频、微波多层陶瓷电容器来说,还要求具备以下性能:高耐压、大电流、大功率、超高Q值、稳定温度系数,超低等效串联电阻ESR等。MgTiO3具有优异的介电性能并符合BA特性温度系数的要求,在13GHz下εr=18,Qf=160000GHz,TCC=100ppm/℃。但是MgTiO3的烧结温度区间窄,较难合成,而且烧结过程易生成二钛酸镁(MgTi2O5)。此外还存在烧结温度高(1400℃以上),烧结耗能大,使用的银钯内电极成本高昂等缺点,因此在实际生产使用中,制约了产品的生产条件,不利于产业化大规模生产。对于MgTiO3,作为BA温度特性的微波电容器瓷质,需要保证MgTiO3的合成过程中,减少二钛酸镁的出现,并且拓宽烧结温度区间。同时降低烧结温度以降低生产成本,适应产业化生产的需要。这也成为本发明提供的技术方向。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法,尤其是符合BA温度特性微波介质材料及其制备方法,该材料可以有效改善烧结区间并提高品质因素,使得陶瓷能够在较低温度烧结下,保持良好介电性能的同时,拥有符合BA特性的温度系数。
为了解决上述问题,本发明公开了一种具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料,包括70-86%摩尔的MgTiO3,8-14%摩尔的Mg2SiO4,2-10%摩尔的掺杂元素和2-14%摩尔的LMZBS助熔剂。
进一步地,所述瓷粉含有2-10%的掺杂元素,包括摩尔分数为0-0.8%的MnO,1-5%的CoO,0-0.3%的Nb2O5和1-3%的Al2O3。
进一步地,所述LMZBS助熔剂包括10-40%摩尔百分比的Li2O,5-20%摩尔百分比的MgO,5-20%摩尔百分比的ZnO,10-35%摩尔百分比的B2O3和10-45%摩尔百分比的SiO2。
进一步地,所述掺杂元素和助熔剂元素的组成形式为氢氧化物,氧化物,碳酸化合物和/或化合物。
本发明还公布了一种具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料制备方法,包括:
按照化学计量配比主瓷粉(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O:TiO2=1:5和(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O:SiO2=2:5;
加入2-10%的掺杂元素,掺杂元素包括摩尔分数为0-0.8%的MnO,1-5%的CoO,0-0.3%的Nb2O5和1-3%的Al2O3,以去离子水为介质,球磨24小时后,在1100℃下温度煅烧2-4小时;
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