[发明专利]一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜，其特征是，由上下两层SiOxNy薄膜组成，所述第一层SiOxNy薄膜为富氧型SiOxNy薄膜，第二层SiOxNy薄膜为富氮型SiOxNy薄膜。

2.一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

a、 按照晶体硅太阳能电池的工艺在p型硅片扩散制备PN结；

b、 采用等离子体增强化学气相沉积,以SiH₄,NH₃,N₂O或者O₂作为反应气体源,再经步骤a处理后的晶体硅衬底表面沉积SiOxNy薄膜作为钝化层,并且在制备过程中调节N₂O或O₂的比例，控制薄膜的成分。

3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜的制备方法,其特征是，所述步骤b为采用磁控溅射的方法，以Si作为靶材，NH₃或者N₂,O₂作为反应气源，Ar气作为等离子体增强气体，再经步骤a处理的晶体硅衬底表面沉积SiOxNy作为钝化层,并且在制备过程中调节NH₃或者N₂和O₂的比例，控制薄膜的成分。

4.根据权利要求2或3所述的晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜的制备方法,其特征是，所述的步骤b中SiOxNy薄膜的厚度为20-100nm。