[发明专利]一种半透半反式液晶面板的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种半透半反式液晶面板的制备方法。

背景技术

由于液晶显示器为非自发光的显示器，因此液晶显示面板必须搭配光源，如：背光源、前光源或外界光源，方可进行影像的显示。根据光源的利用方式不同，可将液晶显示器分为：穿透式液晶显示器、反射式液晶显示器和半透半反式液晶显示器三种。目前，由于半透半反式液晶显示器能同时运用外界光源和背光源所提供的光线，且有利于应用在便携式产品上，因此已经逐渐受到关注。

图1为现有技术中双盒厚的半透半反式液晶面板的基本结构示意图，如图1所示，半透半反式液晶面板具有上基板和下基板（图1中未示出），上、下个偏光片1分别位于上基板上表面和下基板的下表面；上下基板之间设有液晶层3。上下基板上设有多个像素，每个像素具有多个子像素，每个子像素中包括透射区8（虚线右侧区域）和反射区9（虚线左侧区域），在反射区9对应的下基板上，设置有反射层2，也就是Mirror或称为反射电极，所述反射层2通常由金属溅射而成，用来反射射入到反射区9的光。

图2为面内开关（In-Plane Switching，IPS）、边缘场开关（Fringe FieldSwitching，FFS）和先进的三维开关（Advanced Super Dimension Switch，ADS）模式液晶面板的基本原理结构示意图，如图2所示，液晶分子具有偏振轴，包括长轴4和短轴5；在无电场的情况下，如图2（a）所示，长轴4的方向和显示方向是平行的，短轴5的方向和显示方向是垂直的；而在加入电场后，如图2（b）所示，液晶分子会发生偏转，因此，液晶的长轴4和显示方向具有夹角Φ，经过液晶分子的偏振光发生延迟，从而液晶面板的透过率T和sin²2Φ存在正比关系。

图3为IPS、FFS和ADS模式液晶面板透射区和反射区采取相同液晶取向情况下的显示方式示意图，如图3（a）所示，在不加电压的情况下，液晶分子不产生延迟，由于上、下偏光片的偏振方向垂直，所以在反射区9，光能够全部射出，为常白模式；在透射区8，光不能射出，为常黑模式，这样，在同一个子像素中，既有常白模式，也有常黑模式，液晶面板不能实现显示；如图3（b）所示，在加电压的情况下，液晶分子偏转45°，因此，能够实现半透半反的显示。可以看出，透射区8和反射区9采取相同液晶取向时，液晶面板会在不加电压的情况下存在不能显示的问题。

目前，IPS、FFS和ADS模式的半透半反式液晶面板的一种典型结构就是采用多畴液晶取向的方式，在透射区和反射区采用不同的液晶取向。

图4为IPS、FFS和ADS模式液晶面板透射区和反射区采取不同液晶取向情况下的显示方式示意图，如图4（a）所示，在不加电压的情况下，在反射区9，液晶分子的预倾角Φ为45°，光经过反射后的偏振方向和上偏光片的偏振轴方向垂直，光不能出射，为常黑模式；在透射区8，光不能射出，同样为常黑模式，这样在同一个像素中，反射区和透射区的显示效果相同。如图4（b）所示，在加电压的情况下，液晶分子发生偏转，在反射区9，液晶分子偏转45°后，液晶分子不产生延迟，光能够射出；在透射区，液晶分子产生延迟，光能够射出，因此液晶面板可实现显示。

为实现上述多畴液晶取向的结构，现有通常采取配合掩膜版进行选择性的曝光方式。但现有的选择曝光方法需要复杂的掩膜版，不仅工艺复杂，且掩膜版的生产成本很高。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种半透半反式液晶面板的制备方法，能在省略掩膜工艺的情况下生成多畴液晶取向方式的半透半反式液晶面板。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种半透半反式液晶面板的制备方法，所述液晶面板包括：第一基板、第二基板以及位于第一基板和第二基板之间的由多个液晶分子组成的液晶层；所述第一基板和所述第二基板上设置有多个像素，每个像素包括至少一个子像素，每个子像素包括反射区和透射区，所述第二基板对应于反射区的区域上设置有反射层；其特征在于，所述制备方法包括：

在所述第二基板上涂覆第二取向层；

利用所述反射层作为掩膜版，从第二基板的下方对所述第二取向层进行光取向；

从第二基板的上方对所述第二取向层进行光取向。

其中，所述从第二基板的下方对所述第二取向层进行光取向，为：

对所述第二取向层对应透射区的区域进行光取向。

其中，所述从第二基板的上方对所述第二取向层进行光取向，为：