[发明专利]多芯片组件同质键合系统批生产性改进方法有效

专利信息
申请号: 201210533085.0 申请日: 2012-12-12
公开(公告)号: CN103107106A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 杨成刚;苏贵东 申请(专利权)人: 贵州振华风光半导体有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 代理人: 刘安宁
地址: 550018 贵*** 国省代码: 贵州;52
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芯片 组件 同质 系统 生产性 改进 方法
【权利要求书】:

1. 提高陶瓷厚膜多芯片组件同质键合系统批量生产性的方法,其特征在于它是采用整体化学机械抛光方法来实现的,具体做法是:选择旋转式抛光垫和贵金属抛光液,通过旋转式抛光机对整个金导带及键合区进行整体抛光,使其表面平整度≤0.1μm;然后,再进行电阻浆料的印刷、烧结和调阻;接着采用机械掩模的方法,在高真空溅射台或蒸发台中,使已抛光的键合区表面形成一层淀积的铝薄膜、或镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜;最后,按常规混合集成电路集成工艺,将半导体芯片、片式元器件集成在处理后的成膜基片上,半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合,管脚与基片之间采用金丝键合,即可实现质量一致性好、可靠性高的金-金、铝-铝同质键合;使低温共烧陶瓷基片顶层表面上的所有键合区表面的平整度同时控制在≤0.1μm。

2. 如权利要求1所述的方法,其特征在于所述旋转式抛光垫是由有机纤维制成的。

3.  如权利要求1所述的方法,其特征在于所述贵金属抛光液的磨粒硬度在5GPa~50GPa、粒子直径≤100nm。

4. 如权利要求1所述的方法,其特征在于所述低温共烧陶瓷基片由多层陶瓷烧结而成,在每一层中均有金属化内层通孔和内层导带。

5. 如权利要求1所述的方法,其特征在于所述淀积的铝薄膜、或镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜的厚度为1~5μm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州振华风光半导体有限公司,未经贵州振华风光半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210533085.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top