[发明专利]TFT阵列基板、液晶屏、其驱动方法及3D显示系统有效

专利信息
申请号: 201210530759.1 申请日: 2012-12-10
公开(公告)号: CN103048836A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 张春芳;魏燕;徐超;金熙哲 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/133;G02B27/26;H01L27/12;G09G3/36
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: tft 阵列 液晶屏 驱动 方法 显示 系统
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管TFT阵列基板,具有呈矩阵排列的多个亚像素单元,其特征在于,包括:

在各所述亚像素单元内的上下两个区域分别具有有效显示像素电极以及主动挡光电极,所述有效显示像素电极与所述主动挡光电极相互绝缘;

在任意相邻的两行亚像素单元之间具有第一栅极信号线和第二栅极信号线;所述第一栅极信号线用于向与该第一栅极信号线相邻行的有效显示像素电极提供栅扫描信号,所述第二栅极信号线用于向与该第二栅极信号线相邻行的主动挡光电极提供栅极扫描信号;

在任意相邻的两列亚像素单元之间具有第一数据信号线和第二数据信号线;所述第一数据信号线用于向与该第一数据信号线相邻列的有效显示像素电极提供灰阶信号,所述第二数据信号线用于向与该第二数据信号线相邻列的主动挡光电极提供灰阶信号。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第一数据信号线与所述第二数据信号线同层设置。

3.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第一栅极信号线与所述第二栅极信号线同层设置。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述有效显示像素电极与所述主动挡光电极同层设置。

5.如权利要求1-4任一项所述的TFT阵列基板,其特征在于,在每个亚像素单元的开口区域内,所述主动挡光电极所占面积的比例为5%-70%。

6.一种用于3D显示的液晶屏,包括:彩膜基板,薄膜晶体管TFT阵列基板,位于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间的液晶层,以及位于所述彩膜基板出光侧的相位时延膜,其特征在于,所述TFT阵列基板为如权利要求1-5任一项所述的TFT阵列基板。

7.如权利要求6所述的液晶屏,其特征在于,所述液晶屏为扭曲向列TN、平面转换IPS或高级超维场开关ADS型液晶屏。

8.一种如权利要求6或7所述的用于3D显示的液晶屏的驱动方法,其特征在于,包括:

在2D显示模式时,对与同一亚像素单元内的有效显示像素电极连接的第一栅极信号线和与主动挡光电极连接的第二栅极扫描线施加相同的栅扫描信号;对与同一亚像素单元内的有效显示像素电极连接的第一数据信号线和与主动挡光电极连接的第二数据扫描线施加相同的灰阶信号;

在3D显示模式时,仅对与有效显示像素电极连接的第一栅极信号线施加栅扫描信号,对与有效显示像素电极连接的第一数据信号线施加灰阶信号;每条所述第二栅极信号线无信号输入,向每条所述第二数据信号线输入公共电极信号。

9.一种3D显示系统,其特征在于,包括:如权利要求6或7所述的用于3D显示的液晶屏,以及偏光眼镜。

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