[发明专利]缺陷检查方法有效
| 申请号： | 201210530492.6 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103311146A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 土屋范晃 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缺陷 检查 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种缺陷检查方法，是检查半导体晶片（1）的缺陷的缺陷检查方法，具备：
（a）在检查对象的半导体晶片（1）上，对于所述半导体晶片（1）上的既定的芯片（2），形成与由该半导体晶片（1）生成的芯片（2）的尺寸对应的标记（4）的工序；以及
（b）在半导体晶片工艺的既定的工艺中，或者在所述半导体晶片工艺之前，进行所述半导体晶片（1）的缺陷检查，将所述标记（4）作为基准，识别缺陷信息的工序。
2.如权利要求1所述的缺陷检查方法，其特征在于：在所述工序（b）中，以芯片单位识别所述缺陷信息。
3.如权利要求1或2所述的缺陷检查方法，其特征在于：在所述工序（b）中，在所述半导体晶片工艺的多个工艺中进行所述缺陷检查。
4.如权利要求1或2所述的缺陷检查方法，其特征在于：在所述工序（b）中，使用微分干涉方式进行所述缺陷检查。
5.如权利要求1或2所述的缺陷检查方法，其特征在于：所述半导体晶片（1）是SiC晶片或GaN晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
