[发明专利]一种在IGBT管栅极下方形成厚场氧的方法

权利要求书

1.一种形成厚场氧的方法，用于在IGBT管半成品栅极下方形成厚场氧，其特征在于，所述方法包括：

向置放有所述IGBT管半成品的加工炉中通入符合第一预定条件的第一气体，对所述IGBT管半成品进行场氧化，在所述IGBT管半成品的光刻区生成场氧化层，获得第一IGBT管半成品；

将所述第一IGBT管半成品的光刻区以外的其它区域的氧化层剥离，并在剥离氧化层后的所述第一IGBT管半成品表面形成牺牲氧化层，获得第二IGBT管半成品；

将所述第二IGBT管半成品的所述牺牲氧化层剥离，用于清除残留在所述第二IGBT管半成品表面的杂质，并在剥离所述牺牲氧化层后的所述第二IGBT管半成品表面形成栅氧化层，获得在栅极下方具有厚场氧的第三IGBT管半成品。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述向置放有所述IGBT管半成品的加工炉中通入符合第一预定条件的第一气体之前，所述方法还包括：

向置放有已经具有N型衬底基片的第四IGBT管半成品的加工炉中通入符合第二预定条件的第二气体，对所述具有N型衬底基片的IGBT管半成品的所述N型衬底基片表面进行氧化，获得具有第一氧化层的第五IGBT管半成品；

对所述第一氧化层进行有源区光刻和刻蚀，获得所述IGBT管半成品。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述获得在栅极下方具有厚场氧的第三IGBT管半成品之后，所述方法还包括：

在所述第三IGBT管半成品表面沉淀掺杂的多晶硅，并对沉淀掺杂多晶硅的所述第三IGBT管半成品的表面的具有厚场氧覆盖区域以外的区域进行光刻和刻蚀，获得第六IGBT管半成品。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述获得第六IGBT管半成品之后，所述方法还包括：

对所述第六IGBT管半成品的光刻区进行体区的注入及扩散，并对所述第六IGBT管半成品源区进行光刻，获得所述具有厚场氧的IGBT晶体管。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一气体为氧气或氧气和惰性气体的混合气体。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二气体为：氮气、氧气和氢气的混合气体，或氮气和氧气的混合气体。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二气体是氮气、氧气和氢气的混合气体时，氮气、氧气、氢气的气体流量比例为6∶4∶6；在所述第二气体是氮气和氧气的混合气体时，氮气和氧气的气体流量比例为6∶4。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预定条件为：通入温度为900℃±10℃。

9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二预定条件为：通入温度为900℃±10℃。