[发明专利]一种用于GOA电路的驱动电压补偿系统无效

专利信息
申请号: 201210529540.X 申请日: 2012-12-11
公开(公告)号: CN102982778A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 彭少朋;林佳丽 申请(专利权)人: 友达光电(厦门)有限公司;友达光电股份有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 361102 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 goa 电路 驱动 电压 补偿 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD,Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)的GOA(Gate driver On Array,阵列基板行驱动)电路,尤其涉及一种用于该GOA电路的驱动电压补偿系统。

背景技术

当前,在TFT-LCD中,每个像素具有一个薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor),该薄膜晶体管的栅极电性连接至水平方向的扫描线,漏极电性连接至垂直方向的数据线,而源极电性连接至一像素电极。若在水平方向的某一条扫描线施加足够的正电压,会使得该条扫描线上的所有TFT打开,此时该条扫描线对应的像素电极会与垂直方向的数据线连接,而将数据线的视讯信号电压写入像素,从而控制不同液晶的透光度进而达到控制色彩的效果。

在现有技术中,该驱动电路主要是由液晶面板外黏接IC(Integrated Circuit,集成电路)来完成。相比之下,GOA技术(Gate driver On Array,阵列基板行驱动)是直接将薄膜晶体管的栅极驱动电路制作在阵列基板上,以代替由外接硅芯片制作的驱动芯片的一种技术。由于GOA电路可直接制作于面板周围,简化了制程工艺,而且还可降低产品成本,提高TFT-LCD面板的集成度,使面板趋向于更加薄型化。

然而,在GOA电路的实际操作过程中,经常会遇到低温条件,电子迁移率在低温下变小,流经薄膜晶体管的电流较低,致使该薄膜晶体管的充电能力下降。为了解决这一问题,现有技术的一种解决方式是在于,系统外接热敏电阻等温度传感器,利用温度传感器来检测环境温度,并且在环境温度过低时自动将GOA电路的驱动电压抬高,提升薄膜晶体管的充电能力,但是,此方案需外接一个温度传感组件,既增加了成本,又占用了体积。此外,温度传感组件暴露于面板外,易遭受外界环境影响,造成传感器灵敏度降低。再者,温度传感组件检测的是环境温度,并不能准确反映玻璃基板内的GOA电路的TFT的实际温度。

有鉴于此,如何设计一种用于GOA电路的温度检测方案,通过准确地检测薄膜晶体管的实际温度,来提供驱动电压补偿,进而保证薄膜晶体管的充电能力不会因温度变化而降低,是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。

发明内容

针对现有技术中的用于GOA电路的温度检测方案所存在的上述缺陷,本发明提供了一种新颖的、用于GOA电路的驱动电压补偿系统。

依据本发明的一个方面,提供了一种用于GOA电路的驱动电压补偿系统,该GOA电路位于一阵列基板内,其中,该驱动电压补偿系统包括:

一温度传感器,设置于所述GOA电路的下方,用以检测所述阵列基板的实时温度,并且将所述实时温度转化为一电压信号;以及

一驱动电路,用以接收所述电压信号,并将所述电压信号与一参考电压进行比较,根据比较结果输出一控制信号,藉由所述控制信号来调整所述GOA电路的驱动电压。

优选地,该温度传感器包括:一第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接至所述GOA电路的当前驱动电压,所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接至一电源电压;以及一电阻,所述电阻的第一端电性连接至所述第一薄膜晶体管的源极,所述电阻的第二端电性连接至接地端,其中所述电压信号对应于所述电阻两端的电压。

优选地,该驱动电路包括:一比较器,其第一输入端电性连接至所述电阻的第一端,其第二输入端电性连接至所述参考电压,其输出端用以输出所述控制信号;一第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的栅极连接至所述比较器的输出端,所述第二薄膜晶体管的源极电性连接至一第一阈值电压;以及一第三薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管的栅极连接至所述比较器的输出端,所述第三薄膜晶体管的源极电性连接至一第二阈值电压,所述第二阈值电压小于所述第一阈值电压,其中,藉由该控制信号将该GOA电路的目标驱动电压调整为该第一阈值电压或该第二阈值电压。

在其中的一实施例中,当所述电压信号大于所述参考电压时,将所述GOA电路的目标驱动电压调整为所述第二阈值电压。

在其中的一实施例中,当所述电压信号小于所述参考电压时,将所述GOA电路的目标驱动电压调整为所述第一阈值电压。

优选地,电阻经由氧化铟锡金属线电性连接至所述第一薄膜晶体管的源极。更优选地,电阻的阻值为10kΩ,且所述氧化铟锡金属线的长宽比为100。此外,该氧化铟锡金属线的线宽为3um,长度为300um,并且采用波浪形方式进行走线。

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