[发明专利]低聚物交联剂及其制备方法和触摸屏器件制程用绝缘保护光阻剂及应用

权利要求书

1.一种低聚物交联剂，其特征在于其是由原料A与R缩聚而成，其中A为季戊四醇三丙烯酸酯，结构式为（1）；或者双季戊四醇五丙烯酸酯，结构式为（2）；

其中，R为C5～C30的饱和C原子环烃基羧酸、酸酐、羧酸盐中的一种；或者C7～C20芳基羧酸、芳基酸酐、芳基羧酸盐中的一种；或者末端基含硅氧烷的羧酸、酰氯、酰胺基、腈中的一种；原料A与R的投料摩尔比为（1:4）～（1:10），所述交联剂的粘度为50-60cp。

2.一种低聚物交联剂的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）高温预反应：黄光环境下，将权利要求1所述的结构式（1）的化合物或结构式（2）的化合物与R表示的化合物、催化剂、失水剂、热阻聚剂以及溶剂加入反应器中，连通氮气，在氮气氛围下进行反应，其中催化剂分三次加入到反应器中，搅拌下于高温的水浴中反应，之后减压蒸馏除副产物，

2）低温反应：降低水浴温度，将高温预反应的产物于低温水浴中继续反应，反应结束后，减压蒸馏产物，对产物洗涤、中和、干燥，纯水洗涤后再分馏得到产物。

3.根据权利要求2所述的低聚物交联剂的制备方法，其特征在于：步骤1）中高温水浴的温度为80-100℃，搅拌速度为70-90rpm，反应时间为2.5-3.5小时，减压蒸馏0.4-0.6小时。

4.根据权利要求2所述的低聚物交联剂的制备方法，其特征在于：步骤2）中低温水浴的温度为50-60℃，继续反应的时间为6-10小时，采用5%的NaCl洗涤，稀盐酸中和。

5.一种触摸屏器件制程用绝缘保护光阻剂，其特征在于：其由以重量份计的以下组分制备而成：

6.根据权利要求5所述的触摸屏器件制程用绝缘保护光阻剂，其特征在于：所述光阻剂的粘度为2-10cp。

7.利用权利要求5所述的绝缘保护光阻剂制备绝缘桥方法，其特征在于其顺次包括以下步骤：

1）涂布：在基片上涂布权利要求5所述的绝缘保护光阻剂，在基片的表面形成1-3μm的图形；

2）前烘：涂布后的基片于60-140℃的温度下，烘100-140s；

3）曝光：曝光能量40-200mj/cm²，Gap值为50-200um；

4）显影：影液用量为0.25-0.5Kg/cm²，显影30-90S；

5）后烘：210-260摄氏度，烘25-60min。

8.一种绝缘桥，其特征在于：其包括基片和在基片上涂布权利要求6所述的光阻剂而形成1-3μm的像素，所述像素轮廓在20°-40°之间转换；像素的电绝缘性的电阻值在5.0E＋15~16欧姆，透光率为97%以上，耐热透光率为94%以上。

9.一种保护层，其特征在于：在触摸屏器件最外层涂布权利要求6所述的光阻剂形成的1-3um的保护层，所述保护层的透光率在98%以上。

10.一种保护层的制作方法，其特征在于其顺次包括以下步骤：

1）涂布：在触摸屏器件上涂布权利要求5所述的绝缘保护光阻剂，在触摸屏器件的表面形成1-3μm的保护层；

2）前烘：涂布后的触摸屏器件于60-140℃的温度下，烘100-140s；

3）曝光：曝光能量40-200mj/cm²，Gap值为50-200um；

4）后烘：210-260摄氏度，烘25-60min。