[发明专利]用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置有效
| 申请号： | 201210525896.6 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103050416A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 谢珩;王宪谋;王骏;刘海龙;张鹏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/54 | 分类号： | H01L21/54 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 吴永亮 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 百万 像素 碲镉汞 混成 芯片 底部 填充 方法 装置 | ||
1.一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法，其特征在于，
将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；
对读出电路芯片上进行加热，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充；
其中，所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三氧化二铝的直径为5~10纳米。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定温度为60~100度。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶的步骤具体包括：
沿所述读出电路芯片和所述探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述喷射点胶的点胶总量为3~5毫克，共分4~6次进行，每次点胶的间隔为30~120秒。
6.一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置，其特征在于，包括：
混料器，用于将填充胶水进行混合，所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%；
脱泡机，用于将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；
加热设备，用于对读出电路芯片上进行加热；
点胶器，用于当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述三氧化二铝的直径为5~10纳米。
8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述预定温度为60~100度。
9.根据权利要求6-8任意一项所述的装置，其特征在于，
所述点胶头具体用于，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶。
10.根据权利要求6-8任意一项所述的装置，其特征在于，
所述点胶器具体用于，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶，其中，点胶总量为3~5毫克，共分4~6次进行，每次点胶的间隔为30~120秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
