[发明专利]包括第一和第二半导体元件的半导体器件

权利要求书

1. 一种半导体器件，包括：

第一半导体元件，其包括在第一端子与第二端子之间的第一pn结；

第二半导体元件，其包括在第三端子与第四端子之间的第二pn结；

半导体本体，其包括单片地集成的所述第一半导体元件和所述第二半导体元件；并且其中

所述第一和第三端子电耦合到第一器件端子；

所述第二和第四端子电耦合到第二器件端子；并且

所述第一pn结的击穿电压V_br1的温度系数α₁和所述第二pn结的击穿电压V_br2的温度系数α₂具有相同代数符号并且在T=300K处满足                                               ，其中V_br2 < V_br1。

2. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一半导体元件是沟槽场效应晶体管单元，并且所述第一pn结包括第一传导性类型的第一体区和与所述第一传导性类型不同的第二传导性类型的第一漂移区域；

所述第一体区邻接在所述第一体区的第一侧的第一沟槽结构，并且所述第一体区邻接在所述第一体区的与所述第一侧相反的第二侧的第二沟槽结构；

所述第二半导体元件是感测单元，并且所述第二pn结包括所述第一传导性类型的第二体区和所述第二传导性类型的第二漂移区域；并且

所述第二体区邻接在所述第二体区的第一侧的第三沟槽结构，并且所述第二体区邻接在所述第二体区的与所述第一侧相反的第二侧的第四沟槽结构。

3. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二体区电耦合到所述第一和第二沟槽结构的至少一个沟槽结构的栅极电极。

4. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中在所述第一pn结的所述第一击穿电压V_br1与所述第二pn结的所述第二击穿电压V_br2之间的差值在所述沟槽场效应晶体管的阈值电压的50%至600%之间的范围中。

5. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一和第二沟槽结构的每个包括由绝缘材料填充的沟槽。

6. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一体区的宽度大于所述第二体区的宽度。

7. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一体区的宽度小于所述第二体区的宽度。

8. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一和第二沟槽结构的每个沟槽结构的深度小于所述第三和第四沟槽结构的每个沟槽结构的深度。

9. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一和第二沟槽结构的每个沟槽结构的宽度小于所述第三和第四沟槽结构的每个沟槽结构的宽度。

10. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一和第二沟槽结构的每个沟槽结构的深度大于所述第三和第四沟槽结构的每个沟槽结构的深度。

11. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一和第二沟槽结构的每个沟槽结构的宽度大于所述第三和第四沟槽结构的每个沟槽结构的宽度。

12. 根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：所述第一传导性类型的屏蔽区域，其布置于所述漂移区域内并且邻接所述第三和第四沟槽结构的每个沟槽结构的底部。

13. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中在所述第一和第二半导体元件的半导体本体的表面处在所述第一体区的底部到所述第一体区的顶部之间的第一距离小于在所述半导体本体的所述表面处在所述第二体区的底部到所述第二体区域的顶部之间的第二距离。

14. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

沟槽场效应晶体管单元阵列包括第一多个所述场效应晶体管单元；

第二多个所述感测单元在所述沟槽场效应晶体管单元阵列的区域之上扩展；并且

所述第一多个大于所述第二多个。