[发明专利]利用二端口网络分析仪提取四端口变压器模型参数的方法无效
| 申请号： | 201210521426.2 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103852662A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张健;黄景丰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R27/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 端口 网络分析 提取 变压器 模型 参数 方法 | ||
【权利要求书】：
1.利用二端口网络分析仪提取四端口变压器模型参数的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）将嵌套组成四端口变压器的两个电感分解成初级线圈和次级线圈，初级线圈和次级线圈彼此独立，用二端口网络分析仪测试初级线圈两个端口之间的散射参数，以及次级线圈两个端口之间的散射参数；
2）将四端口变压器设计成转置变压器或非转置变压器，用二端口网络分析仪测试变压器未接地的两个端口之间的散射参数；
3）由步骤1）得到的测试数据提取初级线圈和次级线圈的相关模型参数；由步骤2）得到的测试数据提取初级线圈与次级线圈间的互感和耦合电容。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3），初级线圈相关模型参数包括初级线圈两个端口之间的耦合电容，次级线圈相关模型参数包括次级线圈两个端口之间的耦合电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210521426.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：甲磺酸伊马替尼的晶型及其制备方法
- 下一篇：全自动温控节能双层窗
