[发明专利]改善晶圆表面翘曲的方法有效
| 申请号： | 201210521255.3 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103854972B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 郁新举 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 表面 方法 | ||
1.一种改善晶圆表面翘曲的方法，其特征在于，包括步骤：
1）在晶圆中的硅基板上，形成制程所需的第一沟槽；
2）在硅基板表面涂覆一层光刻胶，并对切割道处进行曝光，去除切割道处光刻胶；
3）通过刻蚀，将切割道处刻一个第二沟槽，并去除光刻胶；
4）在硅基板表面进行沟槽填充物沉积；
5）对沟槽填充物进行干法回刻，至此将第一沟槽填充满。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1）中，第一沟槽的宽度为0.1～10微米，深度范围为0.3～50微米。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2）中，光刻胶的厚度为0.5～4微米；切割道处的宽度大于第一沟槽的宽度；去除切割道处光刻胶的方法为采用光刻胶灰化机台将光刻胶去除。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述切割道处的宽度为1～100微米。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，刻蚀的方法包括：干法刻蚀或者湿法刻蚀的方法；第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度；
去除光刻胶的方法为采用光刻胶灰化机台将光刻胶去除。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述干法刻蚀为硅等离子刻蚀；
第二沟槽的深度为0.5～200微米。
7.一种如权利要求1所述的改善晶圆表面翘曲的方法，其特征在于，包括步骤：
1）在晶圆中的硅基板上，形成制程所需的第一沟槽；
2）在硅基板表面涂覆一层光刻胶，并对切割道处进行曝光，去除切割道处光刻胶；
3）通过刻蚀，将切割道处刻一个第二沟槽，并去除光刻胶；
4）在硅基板表面进行沟槽填充物沉积；
5）对沟槽填充物进行干法回刻；
重复步骤4）和5），通过填充回刻的多次循环，至此将第一沟槽填充满。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
