[发明专利]锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管及制造方法

权利要求书

1.一种锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于：

所述有源区在横向方向上分成两部分，在第一部分中形成有第一P型离子注入区、在第二部分中形成有第二N型离子注入区，PNP三极管的集电区由所述第一P型离子注入区组成，所述PNP三极管的基区由所述第二N型离子注入区组成，所述集电区和所述基区在横向上形成接触；

所述PNP三极管的发射区由形成于所述第二N型离子注入区表面部分区域中的第三P型离子注入区组成，所述发射区和所述基区相接触，所述发射区和所述集电区之间相隔有一横向距离，通过调节所述横向距离调节所述基区的宽度；

在所述集电区上方形成有P+掺杂的多晶硅，该多晶硅和所述集电区相接触并引出集电极；在所述发射区上方形成有P+掺杂的多晶硅，该多晶硅和所述发射区相接触并引出发射极；在所述基区上方形成有N+掺杂的多晶硅，该多晶硅和所述基区相接触并引出基极。

2.如权利要求1所述的锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管，其特征在于：所述集电区的所述第一P型离子注入区由锗硅HBT工艺中的P阱注入区中的抗穿通注入区和阈值电压调节注入区叠加而成；所述基区的所述第二N型离子注入区由所述锗硅HBT工艺中的N阱注入区中的抗穿通注入区和阈值电压调节注入区叠加而成。

3.如权利要求1所述的锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管，其特征在于：所述发射区的所述第三P型离子注入区由锗硅HBT工艺中PMOS器件的P型轻掺杂漏区组成。

4.如权利要求1所述的锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管，其特征在于：所述集电区、所述发射区和所述基区上方的多晶硅形成条件和锗硅HBT工艺中发射极多晶硅的形成条件相同；所述集电区和所述发射区上方的P+掺杂的多晶硅的P+掺杂条件和锗硅HBT工艺中PMOS器件的P型源漏注入区的掺杂条件相同；所述基区上方的N+掺杂的多晶硅的N+掺杂条件和锗硅HBT工艺中NMOS器件的N型源漏注入区的掺杂条件相同。

5.一种锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、采用刻蚀工艺在硅衬底上形成浅沟槽，在所述浅沟槽中填入氧化硅形成浅槽场氧，由所述浅槽场氧隔离出有源区；

步骤二、将所述有源区在横向方向上分成两部分，在所述有源区的第一部分中进行第一P型离子注入并由第一P型离子注入组成集电区；

步骤三、在所述有源区的第二部分中进行第二N型离子注入并由第二N型离子注入区组成基区；所述集电区和所述基区在横向上形成接触；

步骤四、在所述第二N型离子注入区表面部分区域中进行第三P型离子注入并由第三P型离子注入区组成发射区，所述发射区和所述基区相接触，所述发射区和所述集电区之间相隔有一横向距离，通过调节所述横向距离调节所述基区的宽度；

步骤五、在所述硅衬底正面淀积多晶硅，该多晶硅分别和所述发射区、所述集电区和所述基区的表面接触；

步骤六、采用P+离子注入对用于引出发射极和集电极的所述多晶硅进行P+掺杂；采用N+离子注入对用于引出基极的所述多晶硅进行N+掺杂；

步骤七、对所述多晶硅进行光刻刻蚀，刻蚀后，由形成于所述集电区上方的P+掺杂的所述多晶硅引出集电极，由形成于所述发射区上方的P+掺杂的所述多晶硅引出发射极，由形成于所述基区上方的N+掺杂的所述多晶硅引出基极。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤二中的所述第一P型离子注入由锗硅HBT工艺中的P阱注入区中的抗穿通注入和阈值电压调节注入叠加而成。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤三中的所述第二N型离子注入由锗硅HBT工艺中的N阱注入区中的抗穿通注入和阈值电压调节注入叠加而成。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤四中的所述第三P型离子注入的工艺条件和锗硅HBT工艺中PMOS器件的P型轻掺杂漏注入的工艺条件相同。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤五中的所述多晶硅的淀积工艺条件和锗硅HBT工艺中发射极多晶硅的淀积工艺条件相同。

10.如权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤六中所述P+离子注入的工艺条件和锗硅HBT工艺中PMOS器件的P型源漏注入的工艺条件相同，所述N+离子注入的工艺条件和锗硅HBT工艺中NMOS器件的N型源漏注入的工艺条件相同。