[发明专利]一种涂层增强C/SiC复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种涂层增强C/SiC复合材料的制备方法，其特征在于步骤如下：

步骤1制备SiC浆料：

步骤a1：以体积分数为20～30%酒精作为溶液，与SiC湿混球磨30～60min，烘干得到粉体；

步骤b1：将粉体总体积分数为10～20%，乙醇和丙酮为溶剂体积分数分别为30～40%和20～30%，磷酸三乙酯为分散剂2～3%，进行混合后球磨3～5h；

步骤c1：再加入聚乙烯醇缩丁醛PVB粘结剂体积分数为3～4%，邻苯二甲酸二辛酯增塑剂体积分数2～3%，继续球磨5～7h；然后真空除气泡20～30min，制得稳定浆料；

步骤2制备涂层增强C/SiC复合材料：

步骤2a：用碳纤维二维叠层编制预制体，纤维体积百分数为30～40%；

步骤2b：以丙稀为源物质，氩气为稀释气体，采用化学气相浸渗法在碳纤维预制体表面沉积PyC界面层，沉积温度为900～1000℃，沉积时间为100～200h；

步骤2c：在温度1600～1800℃条件下，保温1～3h进行热处理；

步骤2d：采用化学气相浸渗法沉积SiC基体，沉积条件如下：三氯甲基硅烷为源物质，氩气为稀释气体，氢气为载气，氢气和三氯甲基硅烷的摩尔比为10:1，沉积温度为1000～1100℃，沉积时间320～400h，形成C/SiC复合材料；

步骤3：在C/SiC复合材料表面涂覆SiC浆料涂层，采用化学气相沉积法在C/SiC复合材料表面沉积SiC保护层，沉积条件如下：三氯甲基硅烷为源物质，氩气为稀释气体，氢气为载气，氢气和三氯甲基硅烷的摩尔比为10:1，沉积温度为1000～1100℃，沉积时间80～100h，得到涂层增强C/SiC复合材料。

2.根据权利要求1所述涂层增强C/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：所述SiC浆料为SiC晶须浆料、SiC颗粒浆料或者SiC晶须和SiC颗粒混合浆料。

3.根据权利要求2所述涂层增强C/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：所述SiC晶须和SiC颗粒混合浆料的质量比为2:1～1:1。

4.根据权利要求2所述涂层增强C/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：所述SiC晶须采用平均直径为0.5μm和平均长度为18μm SiC晶须。

5.根据权利要求2所述涂层增强C/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：所述SiC颗粒的平均粒径为1.5μm SiC颗粒。