[发明专利]一种增强光电效应的石墨烯基半导体光电器件及其制备方法

权利要求书

1.一种增强光电效应的石墨烯基半导体光电器件，其特征在于：包括依次层叠的背电极、半导体衬底、石墨烯和顶电极，所述石墨烯和顶电极之间具有一层金属氧化物薄膜。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述金属氧化物薄膜的材料为ZnO、Mo₂O₃或钛的氧化物。

3.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述金属氧化物薄膜的厚度为2 nm~100 nm。

4.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述半导体衬底的材料为为Si、Ge、GaAs或SiC的p型或n型半导体材料。

5.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述背电极为Al或Ag。

6.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述顶电极为Al、Ag或Ni和Al的合金。

7.权利要求1所述增强光电效应的石墨烯基半导体光电器件的制备方法，其特征在于：包括如下具体步骤：

（1）清洗半导体衬底；

（2）石墨烯的制备和转移：用化学气相沉积法制备石墨烯，然后通过腐蚀基体法将石墨烯转移到衬底上；

（3）利用磁控溅射技术在转移好石墨烯的衬底上沉积金属氧化物薄膜材料；沉积过程中，氧、氩比控制在0.1~1之间；

（4）利用磁控溅射技术，通过加金属掩模板或光刻的方法在金属氧化物薄膜上面沉积顶电极；

（5）利用磁控溅射技术在衬底背面沉积背电极。