[发明专利]铜掺杂硫化镉量子点敏化太阳能电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210520490.9 申请日: 2012-11-29
公开(公告)号: CN103854862A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 邹小平;周洪全;黄宗波;滕功清 申请(专利权)人: 北京信息科技大学
主分类号: H01G9/042 分类号: H01G9/042;H01G9/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100101 北京市朝*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 掺杂 硫化 量子 点敏化 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于太阳能电池的铜掺杂量子点敏化剂,其特征在于:所述方法是将杂质原子掺杂到半导体量子点中,作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。 

2.根据权利要求1所述的铜掺杂量子点敏化剂,其特征在于所述的半导体量子点为CdS。 

3.根据权利要求1所述的铜掺杂硫化镉量子点敏化剂,其特征在于所述的掺杂方法为连续离子层吸附与反应(Successive ionic layer adsorption and reaction,SILAR)。 

4.根据权利要求1所述的掺杂量子点敏化剂,其特征在于所述的杂质原子为Cu。 

5.根据权利要求1所述的掺杂量子点敏化剂,其特征在于所述的Cu杂质原子掺入CdS量子点形成Cu掺杂的CdS半导体量子点。 

6.根据权利要求1所述的量子点敏化太阳能电池,其特征在于所述的Cu掺杂的CdS半导体量子点作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。 

7.根据权利要求1所述的掺杂量子点敏化剂,其特征在于所述方法的具体步骤为: 

1)配备浓度为0.01M-1M含有半导体量子点阳离子的可溶性盐溶液,放入20-50℃的水浴中恒温30-60min; 

2)将含有Cu杂质原子的可溶性盐溶液加入步骤1)配备的阳离子溶液当中,其中杂质原子与半导体量子点原子个数之比为1∶1-1∶1000; 

3)配备浓度为0.01M-1M含有半导体量子点阴离子的可溶性溶液,放入20-50℃的水浴中恒温30-60min; 

4)将待敏化的宽禁带半导体光阳极材料浸入步骤2)制备的溶液中1-10min,取出用相应溶剂清洗干净,并用氮气吹干; 

5)将步骤4)得到的光阳极材料浸入步骤3)制备的阴离子溶液中1-10min,取出用相应溶剂清洗干净,并用氮气吹干,则在光阳极材料上形成Cu掺杂的CdS半导体量子点敏化剂层。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京信息科技大学,未经北京信息科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210520490.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top