[发明专利]铜掺杂硫化镉量子点敏化太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 201210520490.9 | 申请日: | 2012-11-29 |
公开(公告)号: | CN103854862A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 邹小平;周洪全;黄宗波;滕功清 | 申请(专利权)人: | 北京信息科技大学 |
主分类号: | H01G9/042 | 分类号: | H01G9/042;H01G9/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100101 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 硫化 量子 点敏化 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于太阳能电池的铜掺杂量子点敏化剂,其特征在于:所述方法是将杂质原子掺杂到半导体量子点中,作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的铜掺杂量子点敏化剂,其特征在于所述的半导体量子点为CdS。
3.根据权利要求1所述的铜掺杂硫化镉量子点敏化剂,其特征在于所述的掺杂方法为连续离子层吸附与反应(Successive ionic layer adsorption and reaction,SILAR)。
4.根据权利要求1所述的掺杂量子点敏化剂,其特征在于所述的杂质原子为Cu。
5.根据权利要求1所述的掺杂量子点敏化剂,其特征在于所述的Cu杂质原子掺入CdS量子点形成Cu掺杂的CdS半导体量子点。
6.根据权利要求1所述的量子点敏化太阳能电池,其特征在于所述的Cu掺杂的CdS半导体量子点作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。
7.根据权利要求1所述的掺杂量子点敏化剂,其特征在于所述方法的具体步骤为:
1)配备浓度为0.01M-1M含有半导体量子点阳离子的可溶性盐溶液,放入20-50℃的水浴中恒温30-60min;
2)将含有Cu杂质原子的可溶性盐溶液加入步骤1)配备的阳离子溶液当中,其中杂质原子与半导体量子点原子个数之比为1∶1-1∶1000;
3)配备浓度为0.01M-1M含有半导体量子点阴离子的可溶性溶液,放入20-50℃的水浴中恒温30-60min;
4)将待敏化的宽禁带半导体光阳极材料浸入步骤2)制备的溶液中1-10min,取出用相应溶剂清洗干净,并用氮气吹干;
5)将步骤4)得到的光阳极材料浸入步骤3)制备的阴离子溶液中1-10min,取出用相应溶剂清洗干净,并用氮气吹干,则在光阳极材料上形成Cu掺杂的CdS半导体量子点敏化剂层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京信息科技大学,未经北京信息科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210520490.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:循环氢脱硫系统及方法
- 下一篇:一种低能耗的甲醇合成汽油的方法