[发明专利]铜铟掺杂硫化镉量子点敏化太阳能电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210520487.7 申请日: 2012-11-29
公开(公告)号: CN103854870A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 邹小平;周洪全;黄宗波;滕功清 申请(专利权)人: 北京信息科技大学
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01G9/042
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100101 北京市朝*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 掺杂 硫化 量子 点敏化 太阳能电池 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于太阳能技术领域,更具体涉及一种用于太阳能电池的掺杂量子点敏化剂及其制备方法。

背景技术

随着全球经济的迅速发展,人口的持续增长以及人类对能源的依赖性逐渐加深,能源危机和环境污染问题已成为21世纪人类面临的首要问题。面对全球石化能源日益枯竭,取之不尽用之不竭的太阳能无疑是人类未来能源发展的首选。因此,以太阳能作为新能源供应来源最受注目,从技术发展过程或未来前瞻性都受到各界密切的关注。通过光电效应直接把光能转化为电能的装置就是太阳能电池。在各类新型太阳能电池中,染料敏化太阳能电池(DSSCs)以低成本、制作工艺简单、相对较高的光电转换效率而成为研究热点(O’Regan,B.,M.,Nature,1991,353,737)。DSSCs是将吸附了染料的宽禁带半导体纳米晶薄膜作为正极,表面镀有一层铂的导电玻璃作为对电极,正极和对电极之间加入氧化-还原电解质形成的。染料分子吸收太阳光能,电子从基态跃迁到激发态,激发态上面的电子快速注入紧邻的TiO2导带,染料中失去的电子很快从电解质中得到补偿,进入TiO2导带中的电子最终进入导电膜,然后通过外电路到对电极产生光电流。然而,染料的稳定性还有待进一步的提高,而且价格也相对较高,所以采用价格便宜的窄禁带无机半导体量子点作为敏化剂,可以降低电池的成本,提高稳定性,这种电池称为量子点敏化太阳能电池(QDSSCs)。一般染料吸收一个光子最多产生一个电子,量子点可以由一个高能光子产生多个电子,大大提高量子产率(Nozik,A.J.,PhysicaE,2002,14,115)。

但是目前利用量子点敏化的太阳能电池QDSSCs,其总体表现还低于DSSCs。为了提高QDSSCs的光电转换效率,广泛开展了对QDSSCs的改性工作,其中对量子点进行掺杂也是一种常用的有效方法,CN 102163502A公开了一种在CdS量子点中掺杂了Ca杂质离子的方法,提高了CdS的导带,改善了CdS量子点在电极材料表面的吸附状况,抑制了暗电流的产生,提高了太阳能电池的短路电流和光电转换效率。另外,(Pralay K.Santra,J.Am.Chem.Soc.2012,134,2508-2511)通过SILAR方法将Mn2+掺入到CdS量子点中,在CdS的禁带间引入中间能级增加光响应,提高了太阳能电池的短路电流、开路电压和光电转换效率。但是,目前通过SILAR方法对CdS量子点掺杂Cu,然后再对CdS量子点掺杂In共同作为敏化剂来提高太阳能电池的性能参数的工作还未见报道。

发明内容

为了解决上述问题,本发明提供了一种用于太阳能电池的铜铟掺杂CdS量子点敏化剂及其制备方法,以此改性CdS半导体量子点的光电特性,在CdS量子点间形成了阶梯能级,使得电子能够更加有效地在量子点间传输,电子空穴可以更加快速有效地分离,进而提高了太阳能电池的短路电流和光电转换效率。

本发明是通过以下技术方案实施的:

铜铟掺杂硫化镉量子点敏化太阳能电池及其制备方法,该方法是先将Cu掺杂到CdS中,然后再将In掺杂到CdS中形成量子点敏化剂组装成太阳能电池。

所述方法的具体步骤为:

1)配备浓度为0.01M-1M含有半导体量子点阳离子的可溶性盐溶液,放入20-50℃的水浴中恒温30-60min;

2)将含有Cu杂质原子的可溶性盐溶液加入步骤1)配备的阳离子溶液当中,其中杂质原子与半导体量子点原子个数之比为1∶1-1∶1000;

3)配备浓度为0.01M-1M含有半导体量子点阴离子的可溶性溶液,放入20-50℃的水浴中恒温30-60min;

4)将待敏化的宽禁带半导体光阳极材料浸入步骤2)制备的溶液中1-10min,取出用相应溶剂清洗干净,并用氮气吹干;

5)将步骤4)得到的光阳极材料浸入步骤3)制备的阴离子溶液中1-10min,取出用相应溶剂清洗干净,并用氮气吹干,则在光阳极材料上形成Cu掺杂的CdS半导体量子点敏化剂层;

6)配备浓度为0.01M-1M含有半导体量子点阳离子的可溶性盐溶液,放入20-50℃的水浴中恒温30-60min;

7)将含有In杂质原子的可溶性盐溶液加入步骤6)配备的阳离子溶液当中,其中杂质原子与半导体量子点原子个数的比为1∶1-1∶100;

8)将步骤5)制得的Cu掺杂的CdS量子点敏化光阳极材料浸入步骤7)制备的溶液中1-10min,取出用相应溶剂清洗干净,并用氮气吹干;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京信息科技大学,未经北京信息科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210520487.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top