[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210519648.0 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103594441B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王宗鼎;郑荣伟;李柏毅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装件，包括：
芯片，包括：
半导体衬底；
钝化层，位于所述半导体衬底上方；和
凸块，位于所述钝化层上方；以及
模塑料层，位于所述钝化层上方并覆盖所述凸块的下部；
其中，所述模塑料层覆盖所述钝化层的侧壁。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述半导体衬底包括紧邻所述钝化层的所述侧壁的上侧壁、紧邻所述半导体衬底的背面的下侧壁以及从所述上侧壁延伸至所述下侧壁的表面区域，并且所述上侧壁和所述表面区域在所述半导体衬底中形成凹陷区域。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述模塑料层覆盖所述半导体衬底的所述上侧壁和所述表面区域。
4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述凹陷区域填充有所述模塑料层。
5.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述半导体衬底的所述下侧壁与所述模塑料层的侧壁基本对齐。
6.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述半导体衬底的所述上侧壁与所述钝化层的所述侧壁基本对齐。
7.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述模塑料层覆盖所述半导体衬底的所述下侧壁。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述凸块的上部突出到所述模塑料层的顶面之外。
9.一种形成半导体封装件的方法，包括：
在半导体衬底上方形成钝化层，所述半导体衬底包括第一芯片区、第二芯片区以及位于所述第一芯片区和所述第二芯片区之间的划线区；
在所述第一芯片区和所述第二芯片区中的至少一个上的所述钝化层的上方形成凸块；
形成穿过所述划线区上的所述钝化层的凹槽；
形成模塑料层以覆盖所述钝化层和所述凸块的下部并填充所述凹槽；以及
在所述划线区上实施切割工艺以分离所述第一芯片区和所述第二芯片区。
10.一种半导体封装件，包括：
芯片，包括：
衬底；
介电层，位于所述衬底上方；
接触焊盘，位于所述介电层上方；
钝化层，位于所述接触焊盘上方；以及
凸块，位于所述钝化层上方；以及
模塑料层，位于所述钝化层上方并覆盖所述凸块的下部；
其中，所述模塑料层覆盖所述钝化层和所述介电层的侧壁。
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