[发明专利]五种度他雄胺杂质的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210518670.3 申请日: 2012-12-05
公开(公告)号: CN103044517A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 孙洁;孔迪;王俊;杨琰 申请(专利权)人: 华润赛科药业有限责任公司
主分类号: C07J73/00 分类号: C07J73/00;G01N30/02
代理公司: 北京华科联合专利事务所 11130 代理人: 王为
地址: 100124 北京市朝阳区百*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 五种度 杂质 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于药物领域,涉及一种药物化合物制备过程中所产生的杂质,具体涉及一种度他雄胺制备方法中所产生的杂质情况及合成方法。

背景技术

度他雄胺(dutasteride,DTS),化学名为(5α,17β)-N-[2,5-双(三氟甲基)苯基]-3-O-4-氮杂雄甾-1-烯-17-羧酰胺,是葛兰素史克(GSK)公司研制的双重5α-还原酶抑制剂,于2003年6月被美国FDA批准上市,商品名Avodart,用于预防和治疗良性前列腺增生。

度他雄胺的合成方法公开于WO95/07926, WO95/07927, US4760071, US4377584, US4179453, US5670643和Bhattacharya, A.等人,J. Am. Chem. Soc.,110, 3318(1988)。其原始专利WO95/07926所报道的路线如下:以孕烯酮酸(1)为起始物,首先进行C-20位酰胺化,而后经过C-4,5位和C-1,2位两个部位的改造,从而制成DTS。

另有文献何明华等人,化工时刊,23(3),2009,44-46;李启彬等人,中国医药指南,6(20),2008,153-154;陈国广等人,中国新药杂志,15(20),2006,1759-1762报道路线如下:以孕烯酮酸(1)为起始物,首先进行甾体A环与B环的改造,最后进行C-20位酰胺化,得到DTS。

另有合成路线如下:以孕烯酮酸(1)为起始物,首先进行C-4,5位的改造,在C-20位酰胺化之后,经C-1,2位氧化脱氢,得到DTS。

在上述路线当中,DTSI-3为上述反应中的中间体。

在上述路线当中,都包含甾体B环C-5,6位加氢还原反应,通常采用甲酸/碳酸钾加氢法或Pd/C/H2加氢法,反应均会产生5β-H异构体,传递到终产品的合成中,即为异构体杂质DTSI-2。

在上述路线当中,也都包含甾体A环C-1,2位的氧化脱氢反应,常见方法为二氯二氰基苯醌(DDQ)脱氢法,反应会产生过度脱氢杂质,即为DTSI-1、DTSI-4与DTSI-5。其中,杂质DTSI-4的生成亦可由C-5,6位双键中间体的残余传递至终产品中,C-5,6位双键中间体若不经加氢还原,再经C-1,2位脱氢与C-20位酰胺化,即可得到DTSI-4。

以上提到的五种杂质,其化学结构如下:

    

以上五种产物在制备度他雄胺的过程中均可出现,其作为度他雄胺的副产物严重影响度他雄胺原料的质量,因此,控制度他雄胺原料中这些副产物的含量具有重要意义,但控制产品质量需要对产品的杂质进行检测,为此,需要这些杂质作为对照品,本发明通过研究,找到一种适合制备这些杂质的方法,为进一步控制产品质量开通了道路。

发明内容

本发明公开了一种制备度他雄胺的过程中所产生杂质的方法,所述方法包括制备以下五种杂质:

DTSI-1、DTSI-2、DTSI-3、DTSI-4与DTSI-5。

以下分别具体描述制备这五种杂质的方法:

一、杂质DTSI-1的制备方法,步骤如下:

DTS的制备需在C-1,2位引入双键,采用DDQ氧化脱氢法,会发生甾体A环与B环上的过度氧化脱氢,生成杂质DTSI-1;

优选的,杂质DTSI-1的制备方法,步骤如下:

将DTS溶于有机溶剂中,加入二氯二氰基苯醌(DDQ),室温滴加N,O-双(三甲基硅烷基)三氟乙酰胺,滴毕室温反应6-10h,之后升温至100-180℃反应12-80h,冷却,除去有机溶剂,将所剩溶剂经混合溶剂洗涤,柱层析,得到DTSI-1。

特别优选的,杂质DTSI-1的制备方法,步骤如下:

将DTS溶于甲苯中,加入二氯二氰基苯醌(DDQ),室温滴加N,O-双(三甲基硅烷基)三氟乙酰胺,滴毕室温反应8h,之后升温至120℃反应70h,冷却,除去有机溶剂,将所剩溶剂经5%NaHSO3水溶液及二氯甲烷混合溶剂洗涤,分出有机溶剂,蒸干,经柱层析得到DTSI-1。

其中所述柱层析,以200~300目层析硅胶为填料,石油醚与乙酸乙酯的混合溶剂为流动相,或者选用氯仿与甲醇的混合溶剂作为流动项,具体操作方法如下:

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