[发明专利]二自由度纳米定位平台

说明书

技术领域

本发明属于一种微／纳精密工作台，特别是一种可为微/纳表面测量以及微/纳操作等领域提供精密平面定位的二自由度并联柔性精密定位工作台。

背景技术

纳米器件包括纳米电子器件和纳米光电器件，可广泛应用于电子学、光学、微机械装置、新型计算机等，是当今新材料与新器件研究领域中最富有活力的研究领域，也是元器件小型化、智能化、高集成化等的主流发展方向。纳米器件由于具有潜在的巨大市场和国防价值，使得其设计和制造的方法、途径、工艺等成为众多科学家、政府和大型企业研究和投资的热点。目前，纳米器件的设计与制造正处于一个飞速发展时期，方法多种多样，图形化技术就是其中之一。

纳米压印光刻技术是人们在探索更方便、价廉的设计和制备纳米器件的过程中开发出来的图形化技术，用于纳米图形复制并可用来制作三维纳米结构。与其它光刻技术相比，纳米压印技术具有分辨率高、制作成本低、生产效率高的优点，已成为下一代32纳米工艺的关键技术。具有极大潜在的竞争力和广阔的应用前景。在国内外纳米压印技术发展过程中，已逐渐形成了三大主流技术：软压印技术、热压印技术、紫外压印技术。热压印技术可以弥补软压印工艺中弹性模板材料容易变形的不足，且加工效率比较高，但热压印过程中，光刻胶经过高温、高压、冷却的变化过程，脱模后产生的压印图形常会出现变形现象，不易进行多次或三维结构的压印。与前两者相比，紫外压印技术对环境要求较低，仅在室温和低压力下就可以进行，提高了压印精度。同时由于模板材料采用透明石英玻璃，易于实现模板与基片之间的对准，这使得紫外压印技术更适合于多次压印。除此以外，模板使用周期长以及适于批量生产也是紫外压印技术的主要优点。这些特点都使得紫外压印技术在IC制造领域具有不可替代的优越性。

压印过程看似简单，但要得到较高的压印精度，则需要从多个方面综合考虑。压印过程中要做到尽可能保证模板与基片的平行，使得模板与基片能够均匀的接触。若模板和基片不平行，将得到楔形的留模，甚至模板的一端直接接触基片。如果楔形留模的厚度超过压印特征的高度，那么在后续的干法等厚刻蚀时就会将特征刻蚀掉。同时模板与基片的不平行也将会导致下压时模板与基片的相对滑移，发生侧向扩张，影响压印精度。另外，在起模时也会对压印特征造成破坏。因此压印过程中必须保证模板与基片的平行度，即模板与基片的均匀接触。压印光刻系统结构一般包括以下主要部件：①下压机构；②承载台；③精密定位工作台；④用于固化光刻胶的紫外光光源等，其中精密定位工作台是压印光刻系统的关键部分，由它保证模板与基片平行且能够均匀接触，使相对滑动尽可能的小，这样才能保证两者之间的定位精度，保证压印精度和压印质量。现有的纳米压印设备中末端执行件（模板和基片承载台）平行度的调整大多采用被动方式，即通过基片（或模板）承载台柔性环节变形来保证两者之间的平行度。例如B.J.Choi等，步进闪光压印光刻定位平台的设计，Precision Engineering，2001年25卷3期，192-199（B.J.Choi，S.V.Sreenivasan，S.Johnson，M.Colburn，C.G.Wilson，Design of orientation stage for step and flash imprint lithography，Precision Engineering，2001，25(3)：192-199.）、Jae-Jong Lee等，用于制备100nm线宽特征的纳米压印光刻设备的设计与分析，Current Applied Physics，2006年第6期，1007-1011（Jae-Jong Lee，Kee-Bong Choi，Gee-Hong Kim，Design and analysis of the single-step nanoimprinting lithography equipment for sub-100nm linewidth，CurrentApplied Physics2006，6:1007–1011.）、Jae-Jong Lee等，用于制备50nm半倾斜特征的紫外压印光刻多头纳米压印单元，SICEICASE International Joint Conference，2006年，4902-4904（Jae-Jong Lee,Kee-Bong Choi，Gee-Hong Kim et al，The UV-Nanoimprint Lithography with Multi-head nanoimprinting Unit for Sub-50nm Half-pitch Patterns，SICEICASE International Joint Conference2006，4902-4904.）中就报道了此种类型的设备及相关技术；也有些研究者采用被动适应、主动找平及手工调整相结合的方式，如：范细秋等，宽范围高对准精度纳米压印样机的研制，中国机械工程，2005年,16卷增刊，64-67、严乐等，冷压印光刻工艺精密定位工作台的研制，中国机械工程，2004年,15卷1期，75-78.中报道的此类精密定位工作台设计；而另一些研究者则另辟新径，比如，董晓文等，气囊气缸式紫外纳米压印系统的设计，半导体光电，2007年,28卷5期，676-684.中介绍的技术。这些已有的技术中，自适应调整精密定位系统虽然结构简单、结构紧凑、成本低廉，但它的定位精度，尤其平行度的调整精度较低，从而限制了加工精度和质量的提高。虽然通过主动找平和手工调整机构，在一定程度上可以提高压印模板和基片的平行度，但不能补偿压印过程中由于压印力不均匀而导致的模板和基片的平行度误差。气囊气缸式压印系统克服了压印过程中硅胶易伸张变形，压印力分布不均匀，模板易破裂等不足但其真空室的设计使用费用昂贵且压印时间过长。基于上述精密定位系统的不足，具有新型机构形式和控制方法的主动调整型精密定位系统的研制，对促进IC加工技术的发展具有重要的理论意义和工程实用价值。