[发明专利]用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法在审
| 申请号： | 201210518165.9 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103855302A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 顾怡峰;宋志棠;宋三年;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 al sb se 材料 制备 方法 | ||
1.一种用于相变存储器的Al-Sb-Se材料，其特征在于：所述Al-Sb-Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为AlxSbaSe，其中，Sb与Se的原子比为a：1， 0.67≤a≤12.35，0.01≤x≤10。
2.根据权利要求1所述的用于相变存储器的Al-Sb-Se材料，其特征在于：1.56≤a≤7.06。
3.根据权利要求1所述的用于相变存储器的Al-Sb-Se材料，其特征在于：Al、Sb、Se三种元素两两成键，形成三元体系。
4.一种制备用于相变存储器的Al-Sb-Se材料的方法，其特征在于：采用Sb2Se3合金靶、Al单质靶、以及Sb单质靶共溅射形成权利要求1至3任一项所述的Al-Sb-Se相变材料。
5.根据权利要求4所述的制备用于相变存储器的Al-Sb-Se材料的方法，其特征在于：Sb2Se3合金靶采用射频电源，功率范围为5W至20W。
6.根据权利要求4所述的制备用于相变存储器的Al-Sb-Se材料的方法，其特征在于：Sb单质靶采用射频电源，功率范围为0W至30W。
7.根据权利要求4所述的制备用于相变存储器的Al-Sb-Se材料的方法，其特征在于：Al单质靶采用直流电源，功率范围为10W至50W。
8.根据权利要求4所述的制备用于相变存储器的Al-Sb-Se材料的方法，其特征在于：所述的Al-Sb-Se相变材料厚度为100-300nm。
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