[发明专利]具有接触插栓的半导体结构与其形成方法

权利要求书

1.一种形成具有接触插栓的半导体结构的方法，包含：

提供一基底；

形成一晶体管于该基底上，该晶体管包含一栅极以及一源极/漏极区；

形成一第一内层介电层于该晶体管上，其中所述第一内层介电层的一底面与所述晶体管的栅极的顶面切齐，且所述第一内层介电层为一单层结构；

形成一第一接触插栓于该第一内层介电层中，该第一接触插栓电连接该源极/漏极区，且该第一接触插栓的顶面高于该栅极的一顶面；

形成一第二内层介电层于该第一内层介电层上；以及

形成一第二接触插栓于该第二内层介电层中以电连接该第一接触插栓，与形成一第三接触插栓于该第一内层介电层以及该第二内层介电层中以电连接该栅极。

2.如权利要求1所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，其中形成该第二接触插栓与该第三接触插栓的步骤包含：

在该第二内层介电层中形成一第二开口以暴露出该第一接触插栓；

在该第二内层介电层以及该第一内层介电层中形成一第三开口以暴露出该栅极；以及

在该第二开口以及该第三开口中填入一第二金属层。

3.如权利要求2所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，其中先形成该第二开口，再形成该第三开口。

4.如权利要求2所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，其中先形成该第三开口，再形成该第二开口。

5.如权利要求1所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，其中形成该第一接触插栓的步骤包含：

在该第一内层介电层中形成一第一开口以暴露出该源极/漏极区；

在该第一开口中填入一第一金属层；以及

一平坦化制作工艺。

6.如权利要求5所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，其中进行该平坦化步骤后，该栅极的该顶面上还具有一预定厚度的该第一内层介电层。

7.如权利要求6所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，其中该预定厚度大于100埃。

8.如权利要求5所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，其中在填入该第一金属层之前，还包含一自动对准金属硅化物制作工艺，以在该第一开口中暴露的该源极/漏极区中形成一金属硅化物层。

9.如权利要求1所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，其中该第一接触插栓具有一应力。

10.如权利要求1所述的形成具有接触插栓的半导体结构的方法，还包含形成一蚀刻停止层于该第一内层介电层与该第二内层介电层之间。

11.一种具有接触插栓的半导体结构，包含：

基底；

晶体管，设置于该基底上，该晶体管包含一栅极以及一源极/漏极区；

第一内层介电层，设置于该晶体管上，其中所述第一内层介电层的一底面与所述晶体管的栅极的顶面切齐，且所述第一内层介电层为一单层结构；

第一接触插栓，设置于该第一内层介电层中，该第一接触插栓电连接该源极/漏极区，且该第一接触插栓的顶面高于该栅极的一顶面；

第二内层介电层，设置于该第一内层介电层上；

第二接触插栓，设置于该第二内层介电层中以电连接该第一接触插栓；以及

第三接触插栓，于该第一内层介电层以及该第二内层介电层中以电连接该栅极。

12.如权利要求11所述的具有接触插栓的半导体结构，其中该栅极上的该第一内层介电层具有一预定厚度。

13.如权利要求12所述的具有接触插栓的半导体结构，其中该预定厚度大于100埃。

14.如权利要求11所述的具有接触插栓的半导体结构，其中该源极/漏极区包含一外延层，突出于该基底。