[发明专利]一种OLED器件有效
| 申请号: | 201210517302.7 | 申请日: | 2012-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN103022376A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
| 发明(设计)人: | 邱勇;刘嵩;李建仁 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
| 地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 oled 器件 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域,尤其涉及具有透明复合阴极的OLED器件。
背景技术
有机电致发光器件(英文全称为Organic Light-Emitting Diode,简称为OLED)按照出光方式分为底发射器件(英文全称为Bottom OrganicLight-emitting Device,简称为BEOLED)和顶发射器件(英文全称为TOPOrganic Light-emitting Device,简称为TEOLED)。BEOLED所用的阳极是透明的,一般通过溅射的方式将的透明的铟锡氧化物ITO(或铟锌氧化物IZO等)生长在透明基板上作为阳极,器件内部发出的光相继经过透明阳极、透明基板射出。采用这种方式制作的显示屏由于驱动电路和显示区域要同时制作在透明基板上,导致显示区域面积相对减小,显示屏的开口率降低。与普通的底发射器件相比,顶发射有机电致发光器件(TEOLED)由于其本身的结构特点,光可以从顶部电极射出,在有源驱动OLED中,像素驱动电路、总线等可以制作在显示区域的下方,从而避免了驱动电路与显示区域互相竞争的问题,使得器件的开口率大大提高,进而实现显示屏的高分辨率。顶发射器件还可以制作在硅基衬底上,从而可制成硅上有机微显示器。
在顶发射器件的主要难点是选择合适的阴极材料,既要具有较低的功函数,以保证有效的电荷注入,又要获得较好的透光率,且具有较低的电阻。通常使用透明的ITO(或IZO)或者半透明的金属作为顶部阴极,由于制作ITO(或IZO)需要用到溅射的方法,高能ITO(或IZO)粒子对于底层的有机层破坏性很强,因此更好的替代方案是采用半透明的金属来替代ITO(或IZO)作为顶部阴极。其优点是容易生长、破坏性小;缺点是金属的透光性比较差,不利于光的耦合输出,微腔效应较为明显,在显示器的应用上,发光强度和颜色随视角的改变是最大的缺点。因此我们需要在半透明的金属层上制备一层增透膜,减少光能在光学元件表面的反射,增加透射光的光通量,而且该增透膜可以改变光的反射角度和透射能量的分布。
中国专利CN101944570A公开了一种有机发光显示器,其中阴极上含有折射率至少为1.7的有机覆盖层以增加透光率,其有机覆盖层具体为三胺衍生物、亚芳基二胺衍生物、CBP和或Alq3,并限定该有机层的厚度为30nm-90nm。该方案所选的有机覆盖层材料没有考虑有机材料能隙对出射光的影响,如专利中所述的Alq3由于能隙较小,材料本身成黄绿色,影响了蓝光的出射光;而且所公开的有机覆盖层材料随着波长的增加,折射率多在1.5-1.8的范围内,虽然在一定程度上提高了器件的光通量,但未达最优效果,也没有考虑器件由于光学特性而导致在不同视角观察引起的色度变化。
发明内容
为此,本发明所要解决的问题是现有技术中顶发射OLED器件中透光率低以及不同视角色度变化大的问题,提供一种具有透明复合阴极的OLED。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案如下:
本发明公开了一种OLED器件,包括基板以及依次设置在所述基板上的阳极、有机层和阴极,其特征在于,所述阴极为透明复合阴极,包括透明金属层和设置在所述金属层上的增透层,所述增透层的材料为茚並芴衍生物或并二芴衍生物。
所述增透层的材料选自下述结构式中的一种或多种:
优选的,所述透明金属层为Ag层或由低功函数金属与Ag构成的合金层。
所述透明金属层包括Ag层和由低功函数金属与Ag构成的合金层,所述增透层靠近所述Ag层设置。
所述低功函数金属为Mg、Li、K中的一种。
所述合金层中,所述低功函数金属与Ag含量的摩尔比为3:1-10:1。
所述透明金属层的厚度为15-40nm,所述增透层的厚度为30-100nm。
所述透明金属层是Ag层,厚度为15-18nm,所述增透层的厚度为30-90nm。
所述透明金属层是Ag层,厚度为18-25nm;所述增透层的厚度为30-50nm。
所述透明金属层是所述合金层,厚度为20-25nm;所述增透层的厚度为30-100nm。
所述透明金属层是所述合金层,厚度为25-30nm;所述增透层的厚度为30-80nm。
所述透明金属层包括所述合金层和所述Ag层,且所述合金层的厚度3-7nm,所述Ag层的厚度为15-25nm;所述增透层的厚度为50-100nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





