[发明专利]硅基工艺中制作光纤对准基座阵列的在线量测方法

权利要求书

1.一种硅基工艺中制作光纤对准基座阵列的在线量测方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、进行光刻版制作，在所述光刻版上画出光纤对准基座阵列图形和量尺图形，该光纤对准基座阵列图形定义出光纤对准基座的孔的尺寸和排列阵列；所述量尺图形由一系列具有固定线宽和间距的条状图形组成，所述量尺图形的各所述条状图形的线度和间距的和固定不变，所述条状图形的线度为0.1微米～1微米、两相邻所述条状图形之间的间距为0.1微米～1微米，所述光纤对准基座的孔的直径为所述条状图形的线度的两个数量级以上，在所述量尺图形的各所述条状图形旁侧按照顺序标记数字，所述量尺图形设置在所述光纤对准基座的孔的旁侧用于对所述光纤对准基座的孔的直径进行在线测量；

步骤二、用所述光刻版定义，将所述光纤对准基座阵列图形、所述量尺图形和所述量尺图形的数字标记转移到硅晶圆上，依据半导体光刻到刻蚀的工艺过程中，条状图形的线宽与间距之和不变的原理，转移到所述硅晶圆上的所述量尺图形的各条状图形的线宽和间距之和不受光刻刻蚀的工艺的影响而保持不变、且所述硅晶圆上的所述量尺图形的各条状图形的线宽和间距之和和对应的所述光刻版上的所述量尺图形的各所述条状图形的线度和间距的和相同；将形成有所述光纤对准基座阵列图形和所述量尺图形的所述硅晶圆放入到半导体制造工厂的在线线宽量测机台中并准备测量；

步骤三、在所述线宽测量机台中找出所述光纤对准基座的孔的一条直径的第一端区域，用所述量尺图形的数字标记测量所述光纤对准基座的孔的第一端所对应的数字标记值一；

步骤四、对所述硅晶圆进行移动并找出所述光纤对准基座的孔的直径的第二端区域，所述第一端和所述第二端为所述光纤对准基座的孔的同一直径的两端；用所述量尺图形的数字标记测量所述光纤对准基座的孔的第二端所对应的数字标记值二；

步骤五、将所述数字标记值二减去所述数字标记值一得到所述光纤对准基座的孔的直径。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述量尺图形的各所述条状图形的线度和间距的和小于2微米。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述光纤对准基座的孔的直径的100微米以上。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述在线线宽量测机台的测试精度为纳米量级。