[发明专利]NMOS晶体管、CMOS晶体管及两者的制作方法

权利要求书

1.一种NMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅极结构，在栅极结构两侧的半导体衬底内形成源极和漏极；

形成张应力层，所述张应力层覆盖所述栅极结构的侧面、上表面和所述半导体衬底；

去除覆盖在所述栅极结构上表面的张应力层；

去除栅极结构侧面的至少部分的张应力层，栅极结构侧面的张应力层被去除至不低于栅极结构两侧的半导体衬底上的张应力层的高度；

在栅极结构侧面被去除所述张应力层处形成压应力层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，源极和漏极形成之前，所形成的所述栅极结构为虚拟栅极，其包括高k介质层与伪栅材料层；在去除覆盖在所述栅极结构上表面的张应力层之后，还包括去除所述伪栅材料层以形成缺口，在所述缺口中填充功函数金属层，以形成高k金属栅的步骤。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅极结构为多个；形成张应力层覆盖所述栅极结构之后，去除覆盖在所述栅极结构上表面和栅极结构侧面的张应力层之前，还包括在所述张应力层上形成介质层，以填满所述多个栅极结构之间的空间的步骤。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述张应力层上形成介质层之后采用化学机械研磨的方式进行全局平坦化，所述化学机械研磨进行至露出所述栅极结构以去除栅极结构上表面的张应力层。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述化学机械研磨进行至露出所述栅极结构之后，利用刻蚀工艺去除栅极结构侧面的至少部分张应力层。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅极绝缘层和栅材料层，其中，所述栅极绝缘层为氧化硅，所述栅材料层为多晶硅。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述形成张应力层的步骤之前，在所述源极和漏极的表面形成自对准金属硅化物。

8.一种CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有至少两个栅极结构，分布在NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域；

在所述半导体衬底表面和栅极结构的上表面以及侧面形成张应力层；

去除所述栅极结构上表面的张应力层；

去除NMOS晶体管区域的栅极结构侧面处的部分张应力层和PMOS晶体管区域的栅极结构侧面处的张应力层；其中，在NMOS晶体管区域，张应力层被去除至不低于栅极结构两侧的半导体衬底上的张应力层的高度；在PMOS晶体管区域，张应力层被去除至露出PMOS晶体管区域的栅极结构两侧的半导体衬底；

在NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域的栅极结构侧面去除张应力层处填充压应力层。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，张应力层形成之前，所形成的所述栅极结构为虚拟栅极，包括高k介质层与伪栅材料层；在去除覆盖在所述栅极结构上表面的张应力层之后，还包括去除所述伪栅材料层以形成缺口，在所述缺口中填充功函数金属层，以形成高k金属栅的步骤。

10.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述栅极结构为多个；在所述形成张应力层之后，去除所述栅极结构上表面和栅极结构侧面的张应力层之前，还包括在所述张应力层上形成介质层，以填满所述多个栅极结构之间的空间。

11.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在所述张应力层上形成介质层之后采用化学机械研磨的方式进行全局平坦化，所述化学机械研磨进行至露出所述栅极结构以去除栅极结构上表面的张应力层。

12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅极绝缘层和栅材料层，其中，所述栅极绝缘层为氧化硅，所述栅材料层为多晶硅。

13.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在所述形成张应力层的步骤之前，在所述源极和漏极的表面形成有自对准金属硅化物。