[发明专利]用于数据存储的访问控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及数据存储技术，特别涉及一种用于数据存储的访问控制方法。

背景技术

在现有技术中，基于NAND FLASH（与非闪存）的SSD（Solid State Disk，固态硬盘）数据存储系统得益于高吞吐、低耗电、耐震、稳定性高、耐低温、发热量小、工作噪音低等众多优势，在企业高性能计算机、军事及产业、个人电脑、超低价个人电脑以及企业电脑等领域有着广阔的应用前景。

然而，随着NAND FLASH工艺尺寸的缩小以及MLC（Multi-Level Cell，多层单元）技术的运用，使得NAND FLASH出现严重的可靠性问题。因此，现有技术中通常采用纠错码技术来解决NAND FLASH数据存储的可靠性问题。纠错码技术主要分为两个阶段，其中：

在数据写入NAND FLASH的阶段中，纠错码技术通过相应算法为每一个page（页）的数据增加对应的冗余位、以使数据的原始信息能够更加分散地被存储，数据写入NANDFLASH的阶段也可称为编码阶段；

在数据读出NAND FLASH的阶段中，纠错码技术利用冗余位找出对应page的数据的错误位置并进行纠正，从而正确地恢复得到数据的原始信息，数据读出NAND FLASH的阶段也可称为解码阶段。

基于上述说明可见，纠错码技术需要为每一个page的数据进一步增加冗余位，相应地，就增加了一个page的数据所要占用的存储空间容量。而且，纠错码技术的纠错性能越高，其添加的冗余位也就越多，相应地，一个page的数据所要占用的存储空间容量就越大。

对于某些可靠性相对较高的NAND FLASH来说，使用纠错能力较弱的纠错码既可以满足要求，编码后数据容量增加的比例基本在数据的原始信息的3%以下，可以实现数据的原始信息及对应的冗余位均存储于NAND FLASH的一页中。

但对于某些可靠性相对较低、或者对于数据可靠性有更高要求的NAND FLASH来说，需要更多的冗余位才能够实现相应的可靠性要求，在这种情况下，NAND FLASH中每一个page中就不足以存储一个page的数据的原始信息和所有冗余位。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种用于数据存储的访问控制方法。

本发明提供的一种用于数据存储的访问控制方法，在应用该访问控制方法的存储架构中包含至少两个封装体，每个封装体中划分有数据存储区和冗余存储区；并且，该访问控制方法包括：

a1、当对所述存储架构执行写操作时，将数据的原始信息向其中一个封装体内的数据存储区写入、并同时将数据的冗余位向另一个封装体内的冗余存储区写入；

b1、当对所述存储架构执行读操作时，从一个封装体内的数据存储区中读取数据的原始信息、并同时从另一个封装体内的冗余存储区读取数据的冗余位。

优选地，所述封装体为NAND FLASH封装体。

可选地，所述数据为系统码数据，所述系统码数据包括信息数据段和冗余数据段，所述步骤a1从所述系统码数据的信息数据段中提取得到原始信息、从所述系统码数据的冗余数据段中提取得到冗余位，所述步骤b1将原始信息和冗余位分别填入至信息数据段和冗余数据段中、以得到所述系统码数据。

可选地，所述数据为非系统码数据，所述步骤a1以预先设置的截取位置将所述非系统码数据截取为原始信息和冗余位，所述步骤b1将原始信息和冗余位拼接形成所述非系统码数据。

本发明提供的另一种用于数据存储的访问控制方法，在应用该访问控制方法的存储架构中包含至少一个封装体，该封装体中封装有至少两个存储单元，每个存储单元中划分有数据存储区和冗余存储区；并且，该访问控制方法包括：

a2、当对所述存储架构执行写操作时，将数据的原始信息向其中一个存储单元内的数据存储区写入、并同时将数据的冗余位向另一个存储单元内的冗余存储区写入；

b2、当对所述存储架构执行读操作时，从一个存储单元内的数据存储区中读取数据的原始信息、并同时从另一个存储单元内的冗余存储区读取数据的冗余位。

优选地，所述封装体为NAND FLASH封装体。

更优地，所述存储单元为LUN、或为TARGET。

可选地，所述数据为系统码数据，所述系统码数据包括信息数据段和冗余数据段，所述步骤a2从所述系统码数据的信息数据段中提取得到原始信息、从所述系统码数据的冗余数据段中提取得到冗余位，所述步骤b2将原始信息和冗余位分别填入至信息数据段和冗余数据段中、以得到所述系统码数据；