[发明专利]一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置有效
| 申请号： | 201210515182.7 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN102943251A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 任现坤;姜言森;张春艳;程亮;贾河顺;徐振华 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提升 pecvd 镀膜 均匀 装置 | ||
【权利要求书】：
1. 一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔、射频电极和进气系统，其特征在于，还包括设置于沉积腔下方的真空系统，沉积腔为管式真空腔体，进气系统采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔一侧的进气装置。
2. 根据权利要求1所述的一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，进气装置连接位于沉积腔内部上方的喷气管。
3. 根据权利要求2所述的一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置，其特征在于，喷气管设置有一个以上。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
