[发明专利]一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片

权利要求书

1.一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片，其特征在于：在半导体激光器芯片上选择非发光区域进行刻蚀，生长与发光区域掺杂类型相反的二极管。

2.根据权利要求1所述的一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片结构，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底（1）材料上，采用金属有机化学气相沉积进行外延层生长，依次完成N型掺杂的限制层（2），N型掺杂的波导层（3），量子阱（4），P型掺杂的波导层（5），P型掺杂的限制层（6）的生长；

2）采用标准半导体光刻及腐蚀工艺，根据设计的半导体激光芯片结构，选择半导体激光芯片中非发光区域进行刻蚀，直至露出衬底（1）材料；

3）在芯片刻蚀完成后，继续生长一层二氧化硅，将非刻蚀区域进行保护；

4）采用湿法刻蚀将刻蚀区域的二氧化硅去掉，在衬底(1）上外延生长保护二极管P型掺杂层(7），然后外延生长保护二极管本征层(8）和保护二极管N型掺杂层(9），形成保护二极管结构；

5）通过干刻将步骤4）中生长的保护二极管结构与步骤1）中生长的外延层发光区域隔开，形成一个掺杂与激光器芯片发光区域掺杂类型相反的保护二极管结构；

6）在步骤4）中所生成的保护二极管的N型掺杂层(9）上采用光刻胶保护，然后采用半导体光刻及腐蚀工艺刻蚀掉步骤4）中非刻蚀区域上生长的保护二极管结构和步骤3）中生长的二氧化硅层；

7）将步骤6）中保护二极管N型掺杂层(9）上的光刻胶去掉去胶，露出二极管N型掺杂层(9）。

3.根据权利要求2所述的一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片的制作方法，其特征在于：其还可以在非发光区生长2个以上的与激光器芯片反向的保护二极管。