[发明专利]一种OLED器件及其制备方法无效
申请号: | 201210514842.X | 申请日: | 2012-12-05 |
公开(公告)号: | CN103022375A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 邱勇;尤沛升;王龙;甘帅燕 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED器件,包括:
基板(11);
显示区域(1):包括在所述基板依次层叠设置的第一电极层(12)、第一有机层(15)和第二电极层(16);
非显示区域(2):形成于第一电极层(12)上,所述非显示区域设置有使第一电极层(12)和第二电极层(16)与驱动芯片或电路板连接的公共端引线和扫描端引线构成的引线区(21);其特征在于:
所述显示区域(1)的第一电极层(12)上设置有用于隔离设置在所述第一电极层(12)上的所述第一有机层(15)的绝缘介质层(13),所述绝缘介质层(13)上端设置有所述第二有机层(151)。
2.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于:
所述绝缘介质层(13)的长度方向平行于所述公共端引线并将所述显示区域分割为若干像素区域(17)。
3.根据权利要求1或2所述的OLED器件,其特征在于:
所述第二电极层(16)的第二电极层图案(161)的为长条形,其长度方向平行于所述公共端引线。
4.根据权利要求2或3所述的OLED器件,其特征在于:所述第二电极层图案(161)的宽度为像素区域(17)宽度的1/3-1/2,并设置在所述像素区域(17)中间。
5.根据权利要求1-4任一所述的OLED器件,其特征在于:
所述绝缘介质层(13)为光敏性绝缘树脂层。
6.根据权利要求5所述的OLED器件,其特征在于:所述光敏性绝缘树脂层为聚酰亚胺层。
7.根据权利要求3-6任一所述的OLED器件,其特征在于:所述第二电极层图案(161)延伸至所述引线区,部分或者全部覆盖所述引线区。
8.根据权利要求1-7任一所述的OLED器件,其特征在于:所述第一有机层(15)为发光层。
9.根据权利要求1-7任一所述的OLED器件,其特征在于:所述第一有机层(15)和第二有机层(151)相同或不同,分别包括发光层和功能层。
10.根据权利要求9所述的OLED器件,其特征在于:所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层组合。
11.根据权利要求1-10任一所述的OLED器件,其特征在于:
所述第一电极层(12)的厚度为120-180nm;
所述第一有机层(15)和所述第二有机层(151)的厚度相同或不同,分别为200-250nm;
所述第二电极层的厚度为170-300nm;
所述绝缘介质层(13)的厚度为1800nm。
12.一种OLED器件制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
S1、在基板(11)上制备第一电极层(12),并通过刻蚀工艺制备第一电极图案,并在基板上形成显示区域(1)与非显示区域(2);
S2、在步骤S1中制得的第一电极图案的显示区域(1)涂布绝缘介质层(13);
S3、在所述非显示区域(2)的引线区制备公共端引线和扫描端引线;
S4、在显示区域制作有机层,所述有机层包括分布于所述绝缘介质层(13)之间的第一有机层(15)和绝缘介质层(13)上端的第二有机层(151),所述第一有机层(15)的厚度小于所述绝缘介质层(13)的厚度;
S5、通过荫罩掩膜在所述所述第一有机层上沉积或溅射第二电极层(16)。
13.根据权利要求12所述的OLED器件,其特征在于:所述步骤S2中通过刻蚀工艺制备绝缘介质层图案,所述绝缘介质层图案为长条形,并且长度方向平行于公共端引线,横截面形状为梯形,上表面小于下表面。
14.一种权利要求12或13所述的OLED器件的制备方法所制备的OLED器件。
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