[发明专利]一种带有智能学习记忆功能的触控笔装置无效
| 申请号: | 201210513607.0 | 申请日: | 2012-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN102999185A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
| 发明(设计)人: | 康晓洋 | 申请(专利权)人: | 昆山冠强软件科技有限公司;康晓洋 |
| 主分类号: | G06F3/0354 | 分类号: | G06F3/0354 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 带有 智能 学习 记忆 功能 触控笔 装置 | ||
技术领域
本发明涉及的是一种触摸屏操控领域的触控笔装置,具体是一种带有智能学习记忆功能的触控笔装置。
背景技术
近年来,随着触摸屏的操控越来越得到重视,特别是能适应不同应用背景、优异的操纵性的问题。传统的触摸屏的操控除了人的手之外,还有特定的触控笔,或者手写笔配合,但是这种触控笔仅仅是简单的模仿或者代替人的手指功能,在实际应用中受到了一定的限制。
中国申请号CN 201120062934.X,申请公开号CN 202003319U,该专利中公开了一种触摸屏手写笔,包括笔杆、与笔杆配合安装设置的笔头以及设于笔杆和笔头内部的笔芯,在笔杆上远离笔头的一端还设有书写部,书写部由柔性导电材料制成,通常为硅胶,笔杆由硬性材料制成,此种设计的触摸屏手写笔制造简单,携带方便,能解决使用者的不同需求。但是这种方案的功能仅仅是代替实现人的手的功能,没有发挥外源性输入物的优势。
中国申请号CN 201020602288.7,申请公开号CN 201917877U,该专利中公开了一种电容触摸屏手写笔,其包括主体部分和与主体部分连为一体的笔端部,其特征在于:所述主体部分和笔端部是由塑料薄膜热压而成的中空结构,其外表面设有金属层。其解决了现有的电容触摸屏手写笔结构复杂、制作成本高的问题。这种设计是解决传统触控笔的机械结构的制备问题,对于触控笔的功能并没有新的增加。
综上,虽然触摸屏的触控笔得到了一定的研究,但是文献中未见报道带有智能学习记忆功能的触控笔装置。
发明内容
本发明针对现有技术存在的上述不足,提供一种带有智能学习记忆功能的触控笔装置,可以通过该装置把使用者的触控操作习惯记录下来,即便是换了操作终端,也能保留操作习惯,实现智能操作。
本发明是通过以下技术方案实现的,本发明包括:触控笔笔尖、电容感应模块、存储模块、控制模块、识别模块、电源模块、笔体。
所述的触控笔笔尖是指直接接触触摸屏表面的装置,具有一定的柔性。
所述的触控笔笔尖尖端与触摸屏表面接触的面积范围为0.01-4平方毫米。
所述的电容感应模块是指触控笔笔尖尖端与触摸屏表面接触时,检测接触电容的装置。
所述的电容感应模块检测的电容范围为1pF-1nF。
所述的电容感应模块检测电容的响应速度为0.001-1F每秒。
所述的存储模块是指用来存储使用者使用触控笔时,电容随时间的变化的数据的装置。
所述的存储模块存储数据的范围为1-24个月。
所述的控制模块是指用来分析使用者使用触控笔时产生的电容数据,并且给出预测的装置。
所述的识别模块是指用来识别触控终端,判断当前操作的是使用过的哪个终端的装置。
所述的识别模块能够识别的终端数量范围为1-30个。
所述的电源模块是指用来给触控笔供电的装置。
所述的电源模块能够连续供电的时间为10-100小时。
所述的笔体是指用来安装其他模块,形成笔状装置的模块。
当触控笔笔尖尖端与触摸屏表面接触时,电容感应模块检测到接触电容,把数据存储在存储模块中。控制模块分析存储的数据,判断用户的使用习惯,未来用户使用时可以给出预判,方便操作。
综上,本发明结构简单,可以使用电容感应模块、存储模块与控制模块智能分析、记忆、学习使用者的使用习惯,并且给出触控预判,方便使用,实现智能触控。
附图说明
图1为本发明结构示意图。
具体实施方式
下面对本发明的实施例作详细说明,本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
实施例1
如图1所示,本实施例所述的一种带有智能学习记忆功能的触控笔装置包括:触控笔笔尖1、电容感应模块2、存储模块3、控制模块4、识别模块5、电源模块6、笔体7。
本实施例中,所述的触控笔笔尖1是指直接接触触摸屏表面的装置,具有一定的柔性。
本实施例中,所述的触控笔笔尖1尖端与触摸屏表面接触的面积范围为0.01-4平方毫米。
本实施例中,所述的电容感应模块2是指触控笔笔尖尖端与触摸屏表面接触时,检测接触电容的装置。
本实施例中,所述的电容感应模块2检测的电容范围为1pF-1nF。
本实施例中,所述的电容感应模块2检测电容的响应速度为0.001-1F每秒。
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