[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板与显示装置有效
| 申请号： | 201210513258.2 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103378163A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 徐振航;辛哲宏 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包含：
一栅极，设置于一基底上，其中该栅极具有连接该基底的一第一侧面；
一栅介电层，设置于该栅极上；
一半导体层，设置于该栅介电层上并覆盖该栅极的该第一侧面；以及
一源极与一漏极，分别设置于该半导体层上并位于该半导体层的相对两侧，且该源极与该漏极位于该栅极的该第一侧面上。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极与该漏极皆覆盖该栅极的该第一侧面，且该源极与该漏极相对于该基底是位于同一高度。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极与该漏极分别设置于该栅极的该第一侧面的两端，且该源极与该漏极相对于该基底是位于不同高度。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该栅极的厚度为0.1-5μm。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该栅极的该第一侧面与其邻接该基底的一底面的夹角为45°-90°。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层的电荷载子的迁移率至少为5cm2/Vs。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层的材料为金属氧化物半导体或多晶硅。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层的厚度为20-200nm。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该栅介电层的厚度为300–400nm。
10.一种阵列基板，其特征在于，包含：
一基底；以及
一薄膜晶体管，设置于该基底上，该薄膜晶体管包含：
一栅极，设置于一基底上，其中该栅极具有连接该基底的一第一侧面；
一栅介电层，设置于该栅极上；
一半导体层，设置于该栅介电层上并覆盖该栅极的该第一侧面；以及
一源极与一漏极，分别设置于该半导体层上并位于该半导体层的相对两侧，且该源极与该漏极位于该栅极的该第一侧面上。
11.一种显示装置，其特征在于，包含：
一阵列基板，其包含：
一基底；以及
一薄膜晶体管，设置于该基底上，该薄膜晶体管包含：
一栅极，设置于一基底上，其中该栅极具有连接该基底的一第一侧面；
一栅介电层，设置于该栅极上；
一半导体层，设置于该栅介电层上并覆盖该栅极的该第一侧面；以及
一源极与一漏极，分别设置于该半导体层上并位于该半导体层的相对两侧，且该源极与该漏极位于该栅极的该第一侧面上；
一对向基板，相对该阵列基板设置；以及
一显示层，位于该阵列基板与该对向电极基板之间。
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