[发明专利]用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置

权利要求书

1.一种用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置，包括承载盘，其特征在于：所述承载盘设置有盘底板，所述盘底板正面上设有一个或多个凹陷坑，形成用于放置晶片衬底的一个或多个容置腔；所述容置腔的周缘形成盘侧壁，所述盘底板与容置腔对应的凹陷坑底面上开设有作为供背冷氦气流过的气体通孔；所述凹陷坑底面设置为平整的底面，用于便于限定晶片衬底的位置。

2.根据权利要求1所述的用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置，其特征在于：所述承载盘的外廓与下电极的平面尺寸匹配，即等于或小于下电极的平面尺寸；和/或，所述凹陷坑底面的平面大小与所述晶片衬底的外廓大小匹配，即等于或稍大于所述晶片衬底的面积。

3.根据权利要求2所述的用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置，其特征在于：所述承载盘的外径比下电极的外径大2-5mm；所述承载盘的整体厚度为1-5mm；和/或，所述容置腔的内径比晶片衬底的外径大1-2mm，所述容置腔的高度与晶片衬底高度相等或小0.1-0.5mm；和/或，所述凹陷坑底面厚度为0.5-2.0mm；和/或，所述气体通孔的孔径为0.5-2.0mm。

4.根据权利要求1至3任一项所述的用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置，其特征在于：还包括压片环，所述压片环为环片，所述环片的中心孔为通孔，所述通孔的孔径小于容置腔的上端口的口径，使得压环片的下端面压盖在置于容置腔中的晶片衬底的上端面，或者，所述环片的中心孔为阶梯孔，其中孔径大的孔段与容置腔的上端口的口径对应，孔径大的孔段的轴向高度设置为：孔径大的孔段的轴向高度与容置腔的高度之和等于晶片衬底的高度；孔径小的孔段的孔径小于容置腔的上端口的口径。

5.根据权利要求4所述的用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置，其特征在于：如果环片的中心孔为通孔，所述通孔的孔径比晶片衬底的外径小1-3mm；如果环片的中心孔为阶梯孔，所述孔径小的孔段的孔径比晶片衬底的外径小1-3mm。

6.根据权利要求1所述的用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置，其特征在于：还包括配用的顶针装置，所述顶针装置包括一个支架，所述支架上设置平行的多个竖直顶针，顶针穿过下电极上的穿孔，另一端抵在所述凹陷坑底面上。

7.根据权利要求1至3、或6任一项所述的用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置，其特征在于：所述盘底板的背面周缘设置有薄膜圆环；和/或，所述薄膜圆环是通过沉积生长形成的具有导电性能的薄膜圆环；所述薄膜圆环的覆盖区域，与放置晶片衬底的区域无重叠；和/或，所述薄膜圆环的厚度≤ 5微米。

8.根据权利要求1所述的用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置，其特征在于：所述承载盘的材质为金属或陶瓷。

9.根据权利要求1所述的用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置，其特征在于：所述承载盘的材料为陶瓷，其相对介质常数≥5.0 ，并且含有浓度≤1000 ppm的钾、钠或钙离子，从而使其具有一定的静电荷储存功能。

10.根据权利要求1所述的用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置，其特征在于：所述承载盘的材料的热传导率≥1 瓦每米每开尔文。