[发明专利]用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺，更具体地，涉及用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件。

背景技术

目前，随着半导体技术的日益发展, 半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺变得越来越重要。

所述氧化扩散工艺通常在扩散炉管中通过使用石英舟而实现(即)，在其中，石英舟和陪片（即被当作假片使用的晶圆片）放置在炉管的两头（即炉管的气体入口侧和气体出口侧），并且其中待处理的晶圆片被放置在石英舟上，并把该石英舟连同其上的晶圆片放置在悬臂桨上，从而保证在工艺处理时炉管内温度和气流的一致性，典型地，石英舟的工作温度高达800～1150℃。

然而，上述现有的采用石英舟和陪片的技术方案存在如下问题：由于石英舟在高温环境下长期使用，会发生变形现象，并且陪片也会沾污和缺损，故既会造成损耗从而使成本增高（例如需要根据石英舟和陪片的使用、变形和缺损程度进行更换，以防止其影响或损坏晶圆片），又会使炉管内的温度和气流的均匀性变差，影响待处理晶圆片（即所述氧化扩散工艺的目标晶圆片）的工艺参数，换句话说，所述石英舟的抗变形能力弱，即刚开始使用时较为平整，随之在扩散炉内承重并受热后会很快发生弯曲现象并在清洗过程中有所损耗，需要频繁更换（例如3个月左右更换一次，如果继续使用就会导致损坏陪片、均匀性变差等问题），从而导致较高的成本，此外，石英舟上需要装载陪片才能使用，而陪片厚度薄、易沾污，也需要周期性的更换，从而进一步导致成本增高。

因此，存在如下需求：提供具有高的使用寿命、不易变形，成本低的用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件。

发明内容

为了解决上述现有技术方案所存在的问题，本发明提出了具有高的使用寿命、不易变形，成本低的用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一种用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件，所述挡片舟组件包括挡片基座和至少一个挡片，所述挡片基座实质上是长方体的形状并且具有至少一个插槽，所述挡片是圆片的形式，其中，在使用时，将所述至少一个挡片插入到所述挡片基座的所述至少一个插槽中以形成挡片舟组件。

在上面所公开的方案中，优选地，所述至少一个挡片包括4个或5个挡片，并且所述至少一个插槽对应地包括4个或5个插槽。

在上面所公开的方案中，优选地，所述挡片在制造过程中经过高温处理。

在上面所公开的方案中，优选地，所述挡片的厚度t在3mm至4mm之间。

在上面所公开的方案中，优选地，所述挡片的直径d在130mm至140mm之间。

在上面所公开的方案中，优选地，所述挡片基座的长度l在115mm至125mm之间，所述挡片基座的宽度w在50mm至70mm之间，所述挡片基座的高度h在35mm至40mm之间。

在上面所公开的方案中，优选地，所述挡片基座和所述挡片由石英构成，或者所述挡片基座和所述挡片由碳化硅构成。

在上面所公开的方案中，优选地，在使用中，两套挡片舟组件被分别设置在携载待处理的晶圆片的石英舟的两侧。

在上面所公开的方案中，优选地，在使用中，所述两套挡片舟组件被放置在炉管内的悬臂桨上。

在上面所公开的方案中，优选地，在使用中，所述两套挡片舟组件中的各个档片的圆心、待处理的晶圆片的圆心以及炉管的圆心三者处于同一水平线上。

本发明所公开的用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件具有以下优点：（1）由于档片的圆心、所述待处理的晶圆片的圆心以及炉管的圆心三者处于同一水平线上，故可以确保档片及待处理的晶圆片在炉管的中间位置，从而保证气流从炉尾进入后均匀的扩散到晶圆片的各个区域，以便确保晶圆片氧化扩散过程中的一致性；（2）由于所使用的档片不是晶圆片，并且其厚度比晶圆片的厚度大的多，并且档片在其制造过程中经过高温处理过程，故不易变形，并由此使其使用寿命大幅度延长；（3）由于无需使用需要周期性更换的陪片，故显著地降低了成本。    

附图说明

结合附图，本发明的技术特征以及优点将会被本领域技术人员更好地理解，其中：

图1是根据本发明的实施例的挡片舟组件的示意性结构图；

图2是包含根据本发明的实施例的挡片舟组件的氧化扩散工艺设备的示意性结构图。

具体实施方式